专利名称：一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法专利类型：发明专利发明人：武斌,姚文乾,刘云圻申请号：CN201910298770.1申请日：20190415公开号：CN111826712A公开日：20201027
摘要：本发明公开了一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法。该方法采用化学气相沉积法，利用大单晶铜基底预先进行电化学抛光，而后放入高温管式炉进行生长六方氮化硼，即可得到晶片级六方氮化硼薄膜。在不同的晶面上氮化硼会形成三角、六方等多种晶型，在同一晶面上六方氮化硼会实现单晶晶型的无缝拼接，最终形成均匀连续晶片级六方氮化硼薄膜，六方氮化硼作为优异的介电材料在光电材料、微电子器件等方面都有极高的潜在应用价值，本发明为六方氮化硼材料的产业化应用提供了进一步可能。
申请人：中国科学院化学研究所
地址：100080 北京市海淀区中关村北一街2号
国籍：CN
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：关畅
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