专利名称：一种抗击穿电容专利类型：实用新型专利发明人：叶盛松,郁宏伟申请号：CN201721804695.4申请日：20171221公开号：CN207690650U公开日：20180803
摘要：本实用新型公开了一种抗击穿电容，包括壳体、芯包、芯子、正极焊针和负极焊针，芯包位于壳体的内部，芯子位于芯包的中心，正极焊针和负极焊针位于壳体的上方并与其固定连接，壳体的底部设置有底座，底座与壳体一体成型，底座内部的上方设置有抗击穿垫纸层，抗击穿垫纸层位于芯包的下方，抗击穿垫纸层和底座之间设置有弹性防爆层。本实用新型的优点：通过在电容的底座上设置抗击穿垫纸层，能够有效的增加电容底部的紧实度，从而能够有效的增强电容的抗击穿性能，延长电容的使用寿命，此外通过在抗击穿垫纸层下方设置弹性防爆层，在正极焊针和负极焊针的下方设置弹性垫层，从而能够在电容发生涨裂的情况下起到缓冲的作用。
申请人：南通三鑫电子科技股份有限公司
地址：226000 江苏省南通市海门市海门镇东海路531号
国籍：CN
代理机构：北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：黄冠华
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