经典电工学电子技术试题库[附含答案解析]

电工电子技术试题库

一、单项选择题

1.硅稳压管的工作状态是( D ) A.正向导通 C.反向截止 A.三价元素

B.正向击穿 D.反向击穿 B.四价元素

2.要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（ C ） C.五价元素 D.六价元素

3．下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( C ) A．仅自由电子是载流子 B．仅空穴是载流子 C．自由电子和空穴都是载流子 D．三价杂质离子也是载流子 4．理想运算放大器的两个基本特点是( C ) A．虚地与虚断 C．虚短与虚断

B．虚短与虚地 D．断路与短路

5．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（ B ） A．P型半导体，其少子为自由电子 B．N型半导体，其多子为自由电子 C．P型半导体，其少子为空穴

D．N型半导体，其多子为空穴

6．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压UO为（ B ） A．3V B．10V C．-3V D．-10V

7．关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（ B ） A．基区很薄

C．发射区掺杂浓度最高

B．基区掺杂浓度最高

D．发射结的结面积小于集电结的结面积

8．测得某放大电路中的三极管，各管脚电位如题4图所示，则可判定该管为（ D ） A．锗管①为b极 B．硅管③为c极 C．锗管②为e极 D．硅管③为b极

9．放大电路如题7图所示，该电路引入了交直流（ B ） A．电流并联负反馈

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B．电流串联负反馈 C．电压并联负反馈 D．电压串联负反馈

10.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为( B ) R A.-10V B.-4V C.+6V D.+10V

11.NPN型三极管处在放大状态时，各电极的电位关系是( D ) A.E极电位最高，C极电位最低 C.C极电位最高，B极电位最低 馈组态为( C ) A.电流串联 C.电压串联

B.电流并联 D.电压并联

B.E极电位最高，B极电位最低 D.C极电位最高，E极电位最低

12.若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反

13.要降低放大电路输入电阻，可引入( D ) A.电压负反馈 C.串联负反馈

A.电流放大系数β确定 C.集电极电阻Rc与电源Ucc确定 15.函数YABC等价于( B ) A.Y=ABC C.Y=AB+C

B. YABC D. YABC B.电流负反馈 D.并联负反馈

B.基极电阻Rb与电源Ucc确定 D.负载电阻RL确定

14.共射极放大电路直流负载线由( C )

16.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为( C ) A.F=ABC C.F=ABC

B.F=A+B+C D.F=A+B+C

17．下列逻辑式中，正确的逻辑公式是( D ) A．AAA C．AAA

B．AA1 D．AA0

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18.逻辑表达式AB与下列式子中的哪一个相等 ( D ) A.AB C.AB

19．逻辑符号如下图所示，其中表示“与非”门的是( C )

B.AB D.AB

20．在以下输入情况中，“或非”运算的结果为逻辑1的是( A )

A．全部输入为0 B．全部输入为1 C．任一输入是0，其它输入为1 D．任一输入是1，其它输入为0

21．主从型JK触发器，当J=K=0时，则CP脉冲来到后JK触发器的次状态Qn+1为( C ) A．0 B．1 C．Qn

D．Qn

22．题l2图为同步RS触发器，已知SD=RD=l。在CP=1期间，当S=1，R=0时，触发器输出状态Qn+1为（ A ） A．1 B．0 C．Qn D．不定

23.由主从JK触发器构成的电路如题15图所示，可知该电路实现的功能为( A ) A.保持 B.置0 C.置1

D.计数

24.把JK触发器的J与K都接到高电平上，则其特性方程变为( B ) A.Qn+1=Qn

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B.Qn+l=Q

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C.Qn+1=1 D.Qn+1=0

25.在CP有效的情况下，当输入端D=0时，则D触发器的输出端Qn+1=( A ) A.0 C.Qn

B.1 D.Qn

1、集成运算放大器的共模抑制比越大，表示该组件( C )。 (a)差模信号放大倍数越大 (b)带负载能力越强 (c)抑制零点漂移的能力越强 2、电路如图所示为( B )。 (a)反相式电压源

USR1RR(b)同相式电压源 (c)电流源

RF-＋∞＋uORLUZ

3、由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关A、B分别有如图所示为“0”和“1”两个状态，则电灯HL亮的逻辑式为( c )。 (a)F＝AB＋AB (b)F＝AB＋AB (c)F＝AB＋AB

\"1\"\"1\"ABU\"0\"\"0\"HL

4、电路如图所示，当RF减小时，放大电路的（ b ）。 (a)频带变宽，稳定性降低 (b)频带变宽，稳定性提高 (c)频带变窄，稳定性降低 (d)频带变窄，稳定性提高

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RFuIR1－＋R∞+uO

5、整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90V，二极管承受的最高反向电压为141V的电路是下列图中（ c ）。

D1+u2-+u2-DRLD2V+～～u2RLV-(a)(b)D1D2+u2-RLVD4D3(c)

6、某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号（D7~D0），输出为0~25.5V的模拟电压。若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为 (a)。

(a)0.1V (b)0.01V (c)0.001V

7、电路如图1所示，二极管D为理想元件，U3V,ui=6sintV，则输出电压u。 O的波形为图2中（ B ）

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R+D++ui-uOU- 图1-63uO/V630uO/V(a)t36963(b)036tuO/V630uO/V(c)(d)t0t 图2

8、逻辑电路如图所示，输入为X，Y，同它功能相同的是（ b ）。 (a)可控RS触发器(b)JK触发器(c)基本RS触发器(d)T触发器

1&X&DCCQQQY&

9、 电路如图所示，该电路的名称是（ c）。

(a) 单 相 桥 式 整 流 电 路 (b) 单 相 全 波 整 流 电 路 (c) 单 相 半

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波 整 流 电 路

10、由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”， 断开为“0”， 电灯亮为“1”， 电灯暗为“0”， 则该电路为 ( b )。 (a)“ 与” 门 (b)“ 或” 门 (c) “ 非” 门

AHL+B－

11、 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( c )。

(a) 正、反向电阻相等

(b) 正向电阻大 ，反向电阻小 (c) 反向电阻比正向电阻大很多倍 (d) 正、反向电阻都等于无穷大

12、运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( D ) 。

(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 (b) RF1和RF2引入的均为负反馈 (c) RF1和RF2引入的均为正反馈

(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈

RF1uIR1-＋∞＋uoR2RF2

13、电路如图所示，已知UCC＝12V，RC＝3k ，β＝40且忽略UBE,若要使静态时UCE＝9V，则RB 应取（ c ）。

(a) 600 k (b) 240 k (c) 480 k (d) 360 k

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RB++C1ui-RC+C2UCC+uo-

二、填空题。

1.在P型半导体中，____自由电子___是少数载流子。

2.半导体二极管的最大反向电流IRM越大，说明管子的_____单向导电____性能越差。

3.PNP型晶体三极管，发射结正向偏置时，应是基极电位比发射极电位___高______。

4．晶体二极管的主要特性是正偏导通，反偏____截止____。

5．若测得某双极型晶体管基极电流IB=10μA，集电极电流IC=1mA，则晶体管的

电流放大倍数β=__100______。 6．理想运算放大器可分为两个工作区，它们是___线性区和饱和区_____。 7．已知某放大状态的晶体管=99，IE=1mA，则IB=____0.01______mA。 8.引入电压负反馈可以稳定放大电路的____输出电压___。 9.理想集成运放开环电压增益Auo=_____∞__。

10.组合逻辑电路的输出状态仅决定于_当前输入状态的复杂逻辑电路______。 11.函数F=ABC+ABC+C的最简与或表达式为F=_________。

12．稳压二极管在正常工作时，应工作在___反向击穿区_____状态。 13．若Y=AB+(A+B)(C+D+E)，则其反函数Y=________。 14.在N型半导体中__自由电子____是多数载流子。 15.在基本逻辑公式中A+A=___A___。

16.数字电路按功能可分为组合逻辑电路和____组合_逻辑电路。 17.D触发器的特性方程为______。 18．T触发器的特性方程为__________。 三、简答题

1.集成运放的输入端，在满足什么条件下，存在虚短路，虚断路?在反相比例运算电路中，反相输入端是如何形成虚地的? 2 电子电路中的反馈组态有哪几种？ 3.写出R-S触发器的特性方程和特性表。

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4. 什么是理想运算放大器？

理想运放具有以下主要特征： 1、运放输入阻抗无穷大 2、运放输出阻抗为零 3、运放放大倍数无穷大 4、运放带宽无穷大

5、运放共模抑制比无穷大

具有这些特征的运放为理想运放放大器

5.用公式法化简逻辑函数YABBCDACBC

6. 逻辑函数的表示方法有哪几种？ 逻辑真值表 逻辑函数式 逻辑图

7.简单描述一下二极管的开关特性。

二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关；在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关.利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路.

8. 晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件个为什么？ 内部条件

基区：较薄,掺杂浓度低.

发射区：掺杂浓度高（多子载流子浓度高）. 集电区：面积较大（利于少子漂移）. 外部条件

发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止. 9. 晶体管输出特性曲线可分为那几个区？

放大区.条件：发射结正偏,集电结反偏. 起放大作用 饱和区.条件：发射结正偏,集电结正偏. 三极管导通 截止区.条件：发射结反偏,集电结反偏. 三极管断开 三极管工作于饱和区和截止区相当于开关. 10. 负反馈对放大电路的工作性能有那些影响？ 1，负反馈对放大倍数的影响

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放大倍数下降，但稳定性提高了 2，改善输出波形的非线性失真 3，负反馈对输入电阻的影响，： 4，负反馈对输出电阻的影响：

5，负反馈对频带的宽度影响：展宽通频带，这样的话上限频率更高了，下限频率更低了。改善了放大电路的频率性能

四、分析计算题

1.电路如图所示：图中R1=1KΩ，R2=2KΩ，R3=R4=5KΩ 试求：(1)U0与Ui1和Ui2的关系式；

(2)当Ui1 =0.5V，Ui2=0.1V时，计算输出电压U0值，运放输入端电位，UN、UP值。

2.

晶

体

管

放

大

电

路

如

图

1

所

示

，

已

知

UCC12V,RC3k,RB240k,晶体管的40.

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（1）画出直流通路和交流通路；

+UCC

RC RB C1 + RS es + + C2 + ui T RL +

uo

–

– – 图1 （2）用直流通路估算各静态值。

3.比较器电路如图所示，UR3V，运放输出的饱和电压为UOM， 要求： (1) 画出传输特性；

intV， 画出uO的波形 。 I6s(2) 若uuIR-R＋∞＋uO

UR

4．由理想集成运算放大器构成的运算电路如题26图所示。 ①请问A1、A2各构成何种运算电路? ②若ui=10mV，分别计算uOl和uO2； ③指出A2引入了何种负反馈组态。

5．将下列逻辑函数式化为最简“与或”式。 F2=ABCABCABCABC 6．已知电路如题28图所示。要求：

①写出F的逻辑函数表达式并化为最简“与或”式； ②列写真值表；

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③对应输入A、B、C的波形画出输出F的波形。

7.逻辑电路图如图所示，各触发器的初始状态为“0”，已知RD和SD和C的波形，试画出Q0，Q1和F的波形。

Q0SDQ1JCQ1&Q0FRDQ0KQ1CCSDRDQ0Q1 8．固定偏置放大电路如题32图所示，已知晶体管的β=80，UBEQ=0.6V，欲使IB=40

μA，UC=6V，试计算电阻RB和RC的值。

F

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9．题36图所示组合逻辑电路，写出Y0,Y1,Y2,Y3的逻辑表达式，完成下列真值表，

并说明该电路的逻辑功能。

10．利用公式法化简下列表达式，写出最简与或式。

FABACBC

11.如图电路(1)指出A1A2各构成什么电路。(2)写出VOl及VO表达式。

12.某型号电冰箱制冷原理如图所示。已知基准电压U1＝2V，U2＝4V，US为温控

0为同步R－S触发器，取样电压，Rt为负温度系数的热敏电阻，KA为继电器，FFM为单相电动机。要求：(1)说明A1，A2在此电路中的作用；(2)说明电位US随温度变化的规律；(3)当温度单方向变化，US由高变低时，将各部分电路的工作状态填入表中。

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USRSQ 电 机（M） 接 通 断 开USU2US=U2US=U1US14.整流电路如图所示 ， 二极管为理想元件， 变压器原边电压有效值U1 为220V， 负载电 阻RL750。 变压器变比 (1) 变压器副边电压有效值U2; (2) 负载电阻RL 上电流平均值 I0;

(3) 在下表列出的常用二极管中选出哪种型号的二极管合适 。

DkN110N2.试 求:

u1N1N2iORLuOu2 最 大 整 流 电 流 平 均 值 最 高 反 向 峰 值 电 压20V25V50V2AP12AP102AP416mA100mA16mA

五、设计题

1.用一个集成运放设计一个电路，实现uo=5ui的关系，已知反馈电阻RF=100KΩ。 (1)画出设计的电路图； (2)计算图中各电阻值。

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2.已知某逻辑函数的真值表如题31表所示，A、B、C为输入 F为输出。 (1)写出逻辑函数F的表达式； (2)将(1)中的结果化为最简与或式； (3)将(2)中的结果化为与非—与非式； (4)画出仅用与非门和非门实现的逻辑电路。

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