（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200810023121.2 （22）申请日 2008.07.14 （71）申请人 苏州大学
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号
（10）申请公布号 CN101320207A
（43）申请公布日 2008.12.10
（72）发明人 刘全;吴建宏;杨卫鹏
（74）专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 陶海锋
（51）Int.CI
G03F7/00; G02B5/18;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法
（57）摘要
本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备
光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首
先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便、易于实现，是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
法律状态
法律状态公告日
2008-12-10 2009-02-04 2011-02-02 2014-09-24
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
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权利要求说明书
一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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