专利名称：双镶嵌结构的形成方法专利类型：发明专利
发明人：王向东,赵永红,高俊涛申请号：CN200610116880.4申请日：20060930公开号：CN101154622A公开日：20080402
摘要：公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括步骤：提供一表面至少具有一导电区域的衬底；在所述衬底上形成一刻蚀停止层；在所述衬底上形成一层间介电层；利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理，并刻蚀形成通孔；在所述层间介电层上和所述通孔内壁处形成一阻挡层；利用光刻胶在所述阻挡层上进行沟槽的图形化处理；刻蚀所述阻挡层和所述层间介电层形成沟槽；在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；对所述导电材料进行研磨处理，形成双镶嵌结构。本方法可以防止光刻时衬底材料对光刻胶的毒化，改善了双镶嵌工艺中易出现的金属连线中断的问题，提高了双镶嵌结构的稳定性和可靠性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：逯长明
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