（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210030429.6 （22）申请日 2012.02.10
（71）申请人 上海宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
（10）申请公布号 CN102569180A
（43）申请公布日 2012.07.11
（72）发明人 刘宪周;张怡
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 郑玮
（51）Int.CI
H01L21/768;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
功率MOS接触孔的制造方法
（57）摘要
本发明提出一种功率MOS接触孔的制造方
法，所述接触孔为圆孔，该方法包括如下步骤：S1，准备半导体衬底，所述半导体衬底上已经形成功率MOS；S2，在所述半导体衬底上沉积介质层；S3，在介质层上沉积硬掩模层；S4，对所述硬掩模层进行图案化，以图案化的硬掩膜层为掩模刻蚀介质层，在介质层中形成通孔，并以图案化的硬掩膜层为掩模对半导体衬底进行离子注
入；S5，对上述半导体衬底进行退火工艺；S6，在通孔内进行导电材料的填充，形成接触孔。本发明能够得到平直的通孔侧壁，消除通孔顶部凹缩现象，同时工艺窗口、介质层厚度不受影响，确保产品良率。
法律状态
法律状态公告日
2012-07-11 2014-05-21 2014-09-10 2016-11-23
法律状态信息
公开
专利申请权、专利权的转移 实质审查的生效 授权
法律状态
公开
专利申请权、专利权的转移 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
功率MOS接触孔的制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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