专利名称：一种用于制备鳍式场效应晶体管的方法专利类型：发明专利发明人：鲍宇
申请号：CN201510114192.3申请日：20150316公开号：CN104716046A公开日：20150617
摘要：本发明公开了一种用于制备鳍式场效应晶体管的方法，通过在鳍式场效应晶体管的二个鳍结构上二次沉积多晶硅层，并在二个鳍结构的对应上方形成高度差，然后利用该高度差对多晶硅进行回刻，使其中一个鳍结构的栅极得以分开形成双栅，用以进一步形成4T-FinFET，从而可将4T-FinFET与3T-FinFET整合在一起进行制作，并可准确控制刻蚀精度，避免对器件结构造成损伤，实现制作时的自对准。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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