专利名称：二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法专利类型：发明专利
发明人：刘玉岭,檀柏梅,刘海晓申请号：CN201010231555.9申请日：20100721公开号：CN102010663A公开日：20110413
摘要：本发明涉及一种二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法，该方法根据SiO介质能和碱发生化学反应，抛光液选用碱性介质。该抛光液选用纳米SiO磨料，磨料的浓度为4-50wt%，粒径40-100nm，以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的pH值9-13，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性。制备过程中采用负压搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可达到超净的要求；同时可实现纳米SiO磨料高浓度、高pH值条件下不凝聚、不溶解。利用该方法制备的SiO介质抛光液，在相应的抛光工艺条件下进行抛光，可实现SiO介质表面的高精密加工，满足微电子工业对SiO介质CMP精密加工的要求。具有高速率、低粗糙、环保、成本低等优点。
申请人：天津晶岭微电子材料有限公司
地址：300130 天津市红桥区光荣道8号
国籍：CN
代理机构：天津市三利专利商标代理有限公司
代理人：刘英兰
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