一、选择填空(每空1分,共20分)
1.在本征半导体中,掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它的多子是()。 A.N型半导体 B.P型半导体 C.电子 D.空穴 2.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A.增大 B.不变 C.减小
3.PN结反偏时,空间电荷区(),多子的扩散运动被阻止,只有少子的()运动形成反向饱和电流。 A.变厚 B.扩散 C.漂移 D.变薄
4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 5.稳压管的稳压区是其工作在()。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
6.直流稳压电源中的整流电路利用了二极管的()特性。 A.正向伏安特性 B.反向伏安特性 C.单向导电性 7.当信号频率等于放大电路的
或
时,放大倍数的值约下降到中频时的()。
A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍
8.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入();欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()。
A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 9.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用()。
A.反相比例运算电路 B.同相比例运算电路 C.积分运算电路 D.微分运算电路 10.为了获得输入电压中的低频信号,应选用()滤波电路。 A.带阻 B.带通 C.低通 D.有源
11.正弦波振荡电路的基本组成有:包含负反馈的放大电路、构成()的选频网络和稳幅环节。 A.正反馈 B.负反馈 C.反馈 12.下面说法那个是正确的()。
A.正弦波振荡器是一个具有负反馈的放大器 B.正弦波振荡器是一个具有正反馈的放大器
C.正弦波振荡器是一个具有选频网络的正反馈的放大器
D.正弦波振荡器是一个满足振荡相位和幅度值条件的选频放大器
13.在差分放大电路中,若2个输入端信号分别为15mV和3mV,则其差模输入信号为(),共模输入信号为()。
A.18mV B.12mV C.9mV D.6mV
14.为了使滤波电路的输出电阻小,带负载能力强,应选用()滤波电路。 A.无源 B.低通 C.有源
15.若要求电压放大倍数较大,应选用()放大电路;若要求放大电路的输入电阻较大,应选用()放大电路。
A.共基极 B.共发射极 C.共集电极
二、判断正误(每题2分,共10分)
1.因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。()
2.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()
3.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。() 4.因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的的相位条件
+
=0°,单管共集放大电路的
=0°,满足正弦波振荡
=2nπ(n为整数),故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。()
5.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。()
三、简答题
1.电路如图3-1,设D为理想二极管,试判断二极管的工作状态。
四、(10分)射极偏置电路如图4所示。已知:= 1kΩ,增益
= 2kΩ,三极管 β= 30,取
= 12V,
2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。
= 2.5kΩ,=7.5kΩ,=2kΩ,
= 300Ω,。
=0.7V。求:(1)静态工作点Q;(2)电压
;(3)电路输入电阻和输出电阻
五、差分放大电路如图5所示,已知三极管的β均为100,1.求静态工作点; 2.若输出信号从
的集电极输出,计算
。
=0.7V,
=10K ,
=20K,
=11.3K。
六、试用相位平衡条件判断图6-1、6-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡,简述理由。
七、判断图7-1、7-2所示电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,设图中所有电容对交流信号均可视为短路。若为交流负反馈,判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电压放大倍数。
八、试求图8所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。
模拟试题三答案 一、选择填空
1.B,D 2.A 3.A,C 4.C 5..C 6.C 7.B 8.C,A 9.C 10.C 11.A 12.D 13.B,C 14.C 15.B,C
二、判断正误 1.× 2.× 3.
三、简答题 1.解:导通。
2. NPN,硅管。
= 12 ×[10/(10+50)]=2V;
= -10×[2/(18+2)] + 12×[5 /(25+5)]=1V;
>
,所以,二极管
4.× 5.×
四、(1)
≈3V,
≈IE≈2.3mA,
≈0.077mA,
≈5.1V,
(2)(3) 五、1.
≈650Ω,≈483Ω,
≈1 KΩ,≈-46.2,
≈RC = 2KΩ。
2.
六、图6-1不能,图6-2可能。
七、图7-1直流负反馈;图7-2电压串联负反馈,
,
八、
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