专利名称：半导体及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：张宏勇,鱼地秀贵,高山彻,山崎舜平,竹村保彦申请号：CN94103243.4申请日：19940215公开号：CN1098556A公开日：19950208
摘要：一种制造半导体的方法，将实质上为非晶态的硅 膜在不高于非晶硅结晶温度的温度下退火而使其结 晶化，方法包括：有选择地在非晶硅膜表面之上或之 下形成被覆层、颗粒、簇形物、或其类似物，它们含有 以纯金属或其化合物形式的镍、铁、钴、铂或钯，化合 物可以是硅化物、盐、及类似物，被覆层等做成岛状部 分、线状部分、带状、或点状；然后将做成的结构在低 于非晶硅结晶温度20℃到150℃的温度下退火。
申请人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：杨丽琴
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