专利名称：浅沟槽隔离的制造方法专利类型：发明专利发明人：李润领
申请号：CN201410491604.0申请日：20140924公开号：CN104269376A公开日：20150107
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，通过在浅沟槽填充氧化物与热退火之间，添加硅离子注入的步骤，使填充氧化物，如二氧化硅等，含有甚至充满硅原子，在热退火的过程中产生的氧原子可以与之结合，有效避免氧原子扩散氧化浅沟槽侧面的衬底硅，从而避免了由此导致浅沟槽尺寸缩小的问题；更甚者，向浅沟槽侧面的硅衬底同时注入硅离子，可以在硅衬底形成无定型硅，无定型硅在退火后重结晶，释放浅沟槽中的压力，从而提高器件性能。本发明可以大大增加有源区浅沟槽隔离填充工艺段的健壮性和工艺窗口，提升器件性能、可靠性和良率。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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