专利名称：一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法专利类型：发明专利
发明人：蒋良兴,陈佳,王天意,吴杰,刘芳洋,贾明申请号：CN201910018040.1申请日：20190109公开号：CN109569658A公开日：20190405
摘要：本发明公开了一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法，该方法采用一种新型的水溶液沉积方法与热处理结合的制备方法制备硫化锑薄膜，通过旋涂、浸泡、热蒸发、电沉积和光电沉积等方法在硫化锑电极表面原位生长助催化剂，制备SbS/CoO、SbS/Co‑Pi和SbS/FeOOH等复合电极；提高SbS电极的光电化学性能。该方法具有设备、操作简单、价格便宜和易于连续生产等优点，同时负载助催化剂之后，极大的提升了硫化锑薄膜的光电性能。
申请人：中南大学
地址：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
国籍：CN
代理机构：长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曾芳琴
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容