专利名称：磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：金大亨,洪锡敏,金容国,金东炫,徐明源,朴在勤,白云
揆
申请号：CN200510134775.9申请日：20051216公开号：CN1818002A公开日：20060816
摘要：本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D－RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within－wafer－nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。
申请人：K.C.科技股份有限公司,汉阳大学校产学协力团
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司
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