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一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置[实用新型专利]

2020-07-31 来源:乌哈旅游
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置专利类型:实用新型专利发明人:王昕,田蕾,李俊生申请号:CN201720493350.5申请日:20170505公开号:CN206773072U公开日:20171219

摘要:本实用新型公开了一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置,包括数字示波器、脉冲发生器、容性探头和样品台,容性探头设置在样品台的上方,所述样品台上堆叠有金属电极层和绝缘体层,待测样品放置在金属电极层上,金属电极层与脉冲发生器相连,脉冲发生器频率、幅度可调;所述容性探头包括相连的电容活动极和电荷放大器,电容活动极一端为探测面,设置在待测样品的正上方,电荷放大器与数字示波器相连;数字示波器用于显示测量信号波形对应的充电时间和电压幅值。本实用新型通过在充放电过程中的测量,可以通过非接触方式测量,通过数字示波器读取相应的信号参数,进而得到半绝缘半导体的电阻率值,具有测量准确,结构简单,成本低廉的优点。

申请人:广州市昆德科技有限公司

地址:510650 广东省广州市天河区白沙水路123号东门三楼

国籍:CN

代理机构:广州市华学知识产权代理有限公司

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