专利名称：表面处理方法、半导体器件、半导体器件的制造方
法以及处理设备
专利类型：发明专利发明人：嵯峨幸一郎申请号：CN03806748.X申请日：20030130公开号：CN1643659A公开日：20050720
摘要：一种使用超临界流体(4)处理其上形成有结构体的表面的表面处理方法，其特征在于将如氢氧化铵、链烷醇胺、氟化胺、氢氟酸等的共溶剂或反应剂(5)添加到超临界流体(4)。超临界流体(4)同样可以和共溶剂或反应剂(5)一起添加有表面活性剂(6)。可以使用极性溶剂作为表面活性剂(6)。本发明可以提供一种能够仅使用超临界流体处理完全除去残留物的表面处理方法。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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