专利名称：柔性高通量细胞电融合微电极阵列芯片装置专利类型：发明专利
发明人：杨军,胡宁,郑小林,侯文生,廖彦剑,曹毅,夏斌申请号：CN200810070159.5申请日：20080822公开号：CN101343613A公开日：20090114
摘要：本发明提出了一种柔性高通量细胞电融合微电极阵列芯片装置，由阵列芯片和融合池组成。阵列芯片以柔性透明聚酰亚胺薄膜为基底，下表面通过蚀刻形成交叉梳状阵列化微电极组，电极组由两个相互交叉、互不接触、电气结构上互不连接的梳状微电极阵列电极构成，电极组内部微电极之间的微通道为工作通道；阵列芯片倒扣于融合池上，其上的交叉梳状阵列化微电极组与细胞电融合池相对应，落于细胞电融合池中。该芯片装置具备使用方便，加工方法简单，成本极为低廉，对操作人员及细胞无伤害等特点，可广泛应用于遗传学、动植物远缘杂交育种、发育生物学、药物筛选、单克隆抗体制备、哺乳动物克隆等领域。
申请人：重庆大学
地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
国籍：CN
代理机构：重庆华科专利事务所
代理人：康海燕
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