专利名称：半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置专利类型：发明专利发明人：尼子博久,梅津畅彦申请号：CN200910161384.4申请日：20090812公开号：CN101651093A公开日：20100217
摘要：本发明公开了半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置，所述半导体薄膜形成方法包括：在透明基板上形成非晶半导体薄膜的步骤；通过用激光照射所述非晶半导体薄膜来进行热处理，使所述非晶半导体薄膜结晶化从而形成结晶半导体薄膜的步骤；以及用于检查所述结晶半导体薄膜的检查步骤。所述检查步骤包括：通过从所述透明基板的背侧用光照射所述结晶半导体薄膜并进行摄像来获得所述结晶半导体薄膜的透射图像的步骤，以及基于所获得的透射图像对所述结晶半导体薄膜进行筛选的筛选步骤。所述半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置能够精确并容易地对所述结晶半导体薄膜进行评估。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
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