专利名称：半导体膜形成装置和工艺专利类型：发明专利
发明人：周友华,李志聪,吴淑芬,林进祥申请号：CN201210292464.5申请日：20120816公开号：CN103382551A公开日：20131106
摘要：本发明公开了一种用于在半导体衬底上形成薄膜的装置和方法。在一个实施例中的装置包括：工艺室，被配置成用于支撑衬底；气体激励电源；以及第一分配喷头和第二气体分配喷头，与包含膜前体的反应工艺气体供给部流体连通。喷头将气体散布到衬底上方的两个不同区域中，该激发以在晶圆上方生成内部等离子体场和外部等离子体场。装置以促进越过衬底具有基本均匀厚度的膜的形成方式在衬底上沉积材料。在一个实施例中，衬底是晶圆。多种实施例包括连接至第一喷头和第二喷头以改变每个区域中的功率电平和等离子体密度的第一独立可控电源和第二独立可控电源。本发明还提供了半导体膜形成装置和工艺。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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