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2023-12-08 来源:乌哈旅游
電腦硬體基礎知識大全(上) 主板

之所以把這東西放在第一位,是因為作為它太重要。

我們常見的主板是ATX主板。它是採用印刷電路板(PCB)製造而成。是在一種絕緣材料上採用電子印刷工藝製造的。市場上主要有4層板與6層板二種。常見的都是4層板。用6層PCB板設計的主板不易變形,穩定性大大提高。如果你有幸買到了6層板,那可絕對超值啊!哈!在主板的每層都佈滿了電路,所以,如果PCB板燒壞,比較輕的憑藉我們工程師高超的技術,可以通過搭明線維修,比較嚴重的話,這片主板的生命也就到此結束了!

主板上面的零件看起來眼花繚亂,可他們都是非常有條有理的排列著。主要包括一個CPU插座;北橋晶片、南橋晶片、BIOS晶片等三大晶片;前端系統匯流排FSB、記憶體匯流排、圖形匯流排AGP、數據交換匯流排HUB、外設匯流排PCI等五大匯流排;軟驅介面FDD、通用串行設備介面USB、集成驅動電子設備介面IDE等七大介面。

一、主板上的主要晶片

1、 北橋晶片 MCH 在CPU插座的左方是一個記憶體控制晶片,也叫北橋晶片、一般上面有一鋁質的散熱片。北橋晶片的主要功能是數據傳輸與信號控制。它一方面通過前端匯流排與CPU交換信號,另一方面又要與記憶體、AGP、南橋交換信號。北橋晶片壞了以後的現象多為不亮,有時亮後也不斷死機。如果工程師判定你的北橋晶片壞了,再如果你的主板又比較老的話,基本上就沒有什麼維修的價值了。

2、 南橋晶片 ICH4 南橋晶片主要負責外部設備的數據處理與傳輸。比ICH4早的有ICH1、ICH2、ICH3,但它不支持USB2.0 。而ICH4支持USB2.0 。區分它們也很簡單:南橋晶片上有82801AB 82801BB 82801CB 82801DB 分別對應ICH1 ICH2 ICH3 ICH4 。南橋晶片壞後的現象也多為不亮,某些週邊設備不能用,比如IDE口、FDD口等不能用,也可能是南橋壞了。因為南北橋晶片比較貴,焊接又比較特殊,取下它們需要專門的BGA儀,所以一般的維修點無法修復南北橋。

3、 BIOS晶片 FWH 它是把一些直接的硬體資訊固化在一個只讀記憶體內。是軟體和硬體之間這重要介面。系統啟動時首先從它這裏調用一些硬體資訊,它的性能直接影響著系統軟體與硬體的相容性。例如一些早期的主板不支持大於二

十G的硬碟等問題,都可以通過升級BIOS來解決。我們日常便用時遇到的一些與新設備不相容的問題也可以通過升級來解決。如果你的主板突然不亮了,而CPU風扇仍在轉動,那麼你首先應該考慮BIOS晶片是否損壞。

4、 系統時鐘發生器 CLK 在主板的中間位置有個晶振元件,它會產生一系列高頻脈衝波,這些原始的脈衝波再輸入到時鐘發生器晶片內,經過整形與分頻,然後分配給電腦需要的各種頻率。

5、 超級輸入輸出介面晶片 I/O 它一般位於主板的左下方或左上方,主要晶片有Winbond 與ITE,它負責把鍵盤、滑鼠、串口進來的串行數據轉化為並行數據。同時也對並口與軟驅口的數據進行處理。在我們的維修現場,諸如鍵盤與滑鼠口壞,列印口壞等一些外設不能用,多為I/O晶片壞,有時甚至造成不亮的現象。

6、 聲卡晶片 因為現在的主板多數都集成了聲卡,而且集成的多為AC’97聲卡晶片。當然,也有CMI的8738聲卡晶片等。如果你的集成聲卡沒有聲音,這兒壞了的可能性最大。

二、主板上主要的插座

1、CPU插座 目前所有的主板都採用了socket系列零拔力插座。早期的P3採用的socket370插座,現在的P4多採用socket478 插座,早期的P4也有採用socket423插座的,intel 的伺服器CPU 如:至強(Xeon)則採用了socket603插座。Intel 對CPU封裝格式的不斷變化讓我們這些fan 們給他送了不少錢啊!不過近日聽說intel下一代CPU的封裝格式還是採用socket478的格式,這對於不斷追求性能的DIYer們來說可是一個好消息啊。

2、記憶體匯流排插座 現在市場上我們能見到的記憶體有SDRAM、DDR SDRAM、RAMBUS三種。SDRAM記憶體由於DDR記憶體的價格下調已經逐漸淡出市場,它採用168線插座,中間與左邊有兩個防反插斷口;DDR SDRAM由於非常高的性價比已經成為市場的主流。它採用184線插座,在中間只有一個防反插斷口;RAMBUS記憶體雖然性能好,但是價格一直高踞不下,加上intel已經放棄了對它的支持,所以它的前途至今還只是一個懸念!它的插座採用184線RIMM插座,是在中間有兩個防反插斷口。

有些客戶多次反映在845主板上有時記憶體認不全的現象,這是因為Iintel 845系列主板只能支持4個Bank (一個Bank可以理解為記憶體條的一面),在845系列主板上一般設有三個記憶體插槽,而第二個插槽與第三個插槽共用二個

Bank。所以,如果你在第二個與第三個插槽插的記憶體條為雙面的256M,那麼就只能認到一個256M。

3、AGP圖形匯流排插座 它位於CPU插座的左邊,呈棕色。它的頻率為64MHZ。從速度上分為AGP2X,現在的多為AGP4X,也有一些主板已經支持AGP8X。由於不同的速度所需要的電壓不同,所以一些主板不亮主要是用戶把老的AGP2X顯卡插在的新的AGP2X主板上,從而把AGP插座燒壞!令人欣慰的是一些新的主板已經在主板上集成了電壓自動調節裝置,它可以自動識別顯卡的電壓。

4、PCI匯流排插座 它呈現為白色,在AGP插座的旁邊,因主板不同,多少不等。它的頻率為32MHZ。多插網卡,聲卡等其他一些外設。

5、IDE設備介面 它一般位於主板的下麵。有四十針八十線。兩個IDE口並在一起,有時一個呈綠色,表示它為IDE1。因為系統首先檢測IDE1,所以IDE1應該接系統引導硬碟。現在的主板多已支持ATA100,有得支持ATA133,但更高端的主板已經支持串行ATA,它是在並行傳輸速率無法進一步提高的情況下出現的一種新的、具有更高傳輸速度的技術,也將是下一代的主流技術。 一口氣說了這麼多,我已經口乾舌燥了,大家再看看自己的主板,是不是感覺它比以前熟悉了多了?哈哈!我們也到說再見的時候了,即然今天說主板,那麼我就再說一個關於主板的消息吧,我們技服中心近日接受了一批維修的板子,我們的工程師維修起來特別困難,後來經知情人士指點,才發現這批主板的PCB板邊緣都有一個針眼大小的缺口。不仔細看根本分辨不出來。大家可不要小看這個小口中,它是聯想對報廢主板打的專門的印記!我們居然修復了好多片,我都不得不偑服我們的技術水準了!這可不是自誇的喲!所以,大家買二手主板時可一定要小心啊!

CPU

主要談談頻率。

1.凡是懂得點電腦的朋友,都應該對'頻率'兩個字熟悉透了吧!作為機器的核心CPU的頻率當然是非常重要的,因為它能直接影響機器的性能。那麼,您是否對CPU頻率方面的問題瞭解得很透徹呢?

所謂主頻,也就是CPU正常工作時的時鐘頻率,從理論上講CPU的主頻越高,它的速度也就越快,因為頻率越高,單位時鐘週期內完成的指令就越多,從而速度也就越快了。但是由於各種CPU內部結構的差異(如緩存、指令集),並不是時鐘頻率相同速度就相同,比如PIII和賽揚,雷鳥和DURON,賽揚和

DURON,PIII與雷鳥,在相同主頻下性能都不同程度的存在著差異。目前主流CPU的主頻都在600MHz以上,而頻率最高(注意,並非最快)的P4已經達到1.7GHz,AMD的雷鳥也已經達到了1.3GHz,而且還會不斷提升。

在486出現以後,由於CPU工作頻率不斷提高,而PC機的一些其他設備(如插卡、硬碟等)卻受到工藝的限制,不能承受更高的頻率,因此限制了CPU頻率的進一步提高。因此,出現了倍頻技術,該技術能夠使CPU內部工作頻率變為外部頻率的倍數,從而通過提升倍頻而達到提升主頻的目的。因此在486以後我們接觸到兩個新的概念--外頻與倍頻。它們與主頻之間的關係是外頻X倍頻=主頻。一顆CPU的外頻與今天我們常說的FSB(Front side bus,前端匯流排)頻率是相同的(注意,是頻率相同),目前市場上的CPU的外頻主要有66MHz(賽揚系列)、100MHz(部分PIII和部分雷鳥以及所有P4和DURON)、133MHz(部分PIII和部分雷鳥)。值得一提的是,目前有些媒體宣傳一些CPU的外頻達到了200MHz(DURON)、266MHz(雷鳥)甚至400MHz(P4),實際上是把外頻與前端匯流排混為一談了,其實它們的外頻仍然是100MHz和133MHz,但是由於採用了特殊的技術,使前端匯流排能夠在一個時鐘週期內完成2次甚至4次傳輸,因此相當於將前端匯流排頻率提升了好幾倍。不過從外頻與倍頻的定義來看,它們的外頻並未因此而發生改變,希望大家注意這一點。今天外頻並未比當初提升多少,但是倍頻技術今天已經發展到一個很高的階段。以往的倍頻都只能達到2-3倍,而現在的P4、雷鳥都已經達到了10倍以上,真不知道以後還會不會更高。眼下的CPU倍頻一般都已經在出廠前被鎖定(除了部分工程樣品),而外頻則未上鎖。部分CPU如AMD的DURON和雷鳥能夠通過特殊手段對其倍頻進行解鎖,而INTEL產CPU則不行。

由於外頻不斷提高,漸漸地提高到其他設備無法承受了,因此出現了分頻技術(其實這是主板北橋晶片的功能)。分頻技術就是通過主板的北橋晶片將CPU外頻降低,然後再提供給各插卡、硬碟等設備。早期的66MHz外頻時代是PCI設備2分頻,AGP設備不分頻;後來的100MHz外頻時代則是PCI設備3分頻,AGP設備2/3分頻(有些100MHz的北橋晶片也支持PCI設備4分頻);目前的北橋晶片一般都支持133MHz外頻,即PCI設備4分頻、AGP設備2分頻。總之,在標準外頻(66MHz、100MHz、133MHz)下北橋晶片必須使PCI設備工作在33MHz,AGP設備工作在66MHz,才能說該晶片能正式支持該種外頻。

最後再來談談CPU的超頻。CPU超頻其實就是通過提高外頻或者倍頻的手段來提高CPU主頻從而提升整個系統的性能。超頻的歷史已經很久遠(其實也就幾年),但是真正為大家所喜愛則是從賽揚系列的出產而開始的,其中賽揚300A超450、366超550直到今天還為人們所津津樂道。而它們就是通過將賽揚CPU的66MHz外頻提升到100MHz從而提升了CPU的主頻。而早期的DURON

超頻則與賽揚不同,它是通過破解倍頻鎖然後提升倍頻的方式來提高頻率。總的看來,超倍頻比超外頻更穩定,因為超倍頻沒有改變外頻,也就不會影響到其他設備的正常運作;但是如果超外頻,就可能遇到非標準外頻如75MHz、83MHz、112MHz等,這些情況下由於分頻技術的限制,致使其他設備都不能工作在正常的頻率下,從而可能造成系統的不穩定,甚至出現硬碟數據丟失、嚴重的可能損壞。因此,筆者在這裏告誡大家:超頻雖有好處,但是也十分危險,所以請大家慎重超頻!

2.關於超頻

如果是AMD的CPU要超的話就瞭解一下他的頻率極限吧

AMD在不久前發佈了它們全新的Athlon XP處理器,其頻率分別顯

XP1500+,1600+,1700+和1800+。為了對抗Intel Pentium4處理器,Athlon XP重新採用了PR值(性能指數)來標稱處理器,而Ahlon XP1600+意味著擁有與Pentium 4 1600MHz相同的性能。

Athlon XP採用了全新基於0.18微米制程的Palonmino核心,其核心面積由雷鳥的120mm2增加為128mm2。而封裝方式也變為類似FC-PGA PentiumIII的OPGA封裝。AMD宣稱在採用新核心後 Athlon XP的發熱量將較同頻的雷鳥低20%。而更低的散熱量,自然也就意味著更強勁的超頻性能。

所以,我們決定測試一下Athlon XP的超頻能力。我們選擇了性價比較好的Athlon XP 1600+。它比1800+要便宜許多,但超頻能力似乎可以達到1900Mhz以上。

Athlon XP同樣有與雷鳥類似的L1橋路,不過已被鐳射切斷,要想超頻,首先必須將L1橋路重新相連。具體連接橋路的方式可以參見本站相關文章。由於處理器默認電壓為1.75v,要更好的發揮處理器的超頻極限,這需要一塊具備電壓調節功能的主板。我們採用了磐英8K7A和8KHA+進行了對比,儘管8K7A在調節方式上較不便,但超頻性能卻好於新的8KHA+。

在解頻之後,我們首先將倍頻設置為6,然後將外頻設置為最高,在8K7A下,我們將處理器超至最高200MHz(400MHz DDR)外頻,通過200MHz外頻下的記憶體性能測試,我們可以看出超頻後的記憶體帶寬已經超出AMD760晶片40%左右。

剛才的測試僅僅只是風冷狀態下的結果,這不過是個開始,接下來我們將在

極限致冷環境下測試處理器的超頻極限。安裝上水冷器後。我們將電壓調至2.1v。而VDDR調至2.9v。

測試結果令人驚歎,我們最終將處理器穩定於178MHz外頻下,此時頻率已高達1873.89MHz。

雖然我們希望能突破1900MHz的障礙,但沒有成功。同時我們也發現主板對於Athlon XP的超頻也致關重要,雖然8KHA+採用更新的晶片組並擁有更好的性能,但在超頻能力方面卻不如其前輩8K7A。而新核心的Athlon XP超頻能力,也得到了驗證。 記憶體

1.記憶體的基礎知識

RAM技術辭彙

CDRAM-Cached DRAM——高速緩存記憶體 CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻記憶體

DRAM-Dynamic RAM——動態記憶體

EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態記憶體

EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式記憶體

EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜態記憶體 EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻記憶體 FPM-Fast Page Mode——快速頁模式

FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體記憶體

SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態記憶體 SRAM-Static RAM——靜態記憶體

SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻記憶體

3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用記憶體 VRAM-Video RAM——視頻記憶體

WRAM-Windows RAM——視頻記憶體(圖形處理能力優於VRAM) MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態記憶體 SGRAM-Signal RAM——單口記憶體

記憶體有哪些主要技術指標

記憶體是具有“記憶”功能的設備,它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進位數碼 “0”和“1”,這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯,半導體觸發器、 MOS電路或電容器等。

位(bit)是二進位數的最基本單位,也是記憶體存儲資訊的最小單位,8位二進位數稱為一個位元組(Byte),可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元,大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(MemoryBank)。為了區分存儲體內的存儲單元,必須將它們逐一進行編號,稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應,且是存儲單元的唯一標誌。應注意存儲單元的地址和它裏面存放的內容完全是兩回事。

根據記憶體在電腦中處於不同的位置,可分為主記憶體和輔助記憶體。在主機內部,直接與CPU交換資訊的記憶體稱主記憶體或內記憶體。在執行期間,程式的數據放在主記憶體內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的記憶體稱為隨機存取記憶體(RAM)。另一種記憶體叫只讀記憶體(ROM),裏面存放一次性寫入的程式或數據,僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主記憶體的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丟失,而掉電後ROM中的數據可保持不變。因為結構、價格原因,主記憶體的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器,如磁片、光碟等.記憶體的特性由它的技術參數來描述。

存儲容量:記憶體可以容納的二進位資訊量稱為存儲容量。一般主記憶體(記憶體)容量在幾十K到幾十M位元組左右;輔助記憶體(外存)在幾百K到幾千M位元組。

存取週期:記憶體的兩個基本操作為讀出與寫入,是指將資訊在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。記憶體從接收讀出命令到被讀出資訊穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔,稱為取數時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲週期TMC。半導體記憶體的存取週期一般為60ns-100ns。 記憶體的可靠性:記憶體的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長,表示可靠性越高,即保持正確工作能力越強。

性能價格比:性能主要包括記憶體容量、存儲週期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標,對於不同的記憶體有不同的要求。對於外存儲器,要求容量極大,而對緩衝記憶體則要求速度非常快,容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個記憶體系統很重要的 指標。

SDARM能成為下一代記憶體的主流嗎?

快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效記憶體積體電路的出現和為優化Pentium 晶片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶片組的支持,人們越來越傾向於採用擴 展數據輸出(EDO)DRAM。 EDO DRAM採用一種特殊的記憶體讀出電路控制邏輯,在讀寫一個地址單元時,同時啟動下一個連續地址單元的讀寫週期。從而節省了重選地址的時間,使存儲匯流排的速率提高到40MHz。也就是說,與快頁記憶體相比,記憶體性能提高了將近15%~30%,而其製造成本與快頁 記憶體相近。但是EDO記憶體也只能輝煌一時,其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以後市場上主流CPU的主頻將高達200MHz以上。為優化處理器運行效能,匯流排時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程式以及Windows 95和WindowsNT操作系統對內存的要求也越來越高,為緩解 瓶頸,只有採用新的記憶體結構,以支持高速匯流排時鐘頻率,而不至於插入指令等待週期。這樣,為適應下一代主流CPU的需要,在理論上速度可與CPU頻率同步,與CPU共用一個時鐘 週期的同步

DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區別,SRAM的全 寫是Static RAM即靜態RAM,速度雖快,但成本高,不適合做主存)應運而生,與其它記憶體 結構相比,性能\\價格比最高,勢必將成為記憶體發展的主流。 SDRAM基於雙存儲體結構,內含兩個交錯的存儲陣列,當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據的同時,另一個已準備好讀寫數據。通過兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz,與中檔Pentium同步,存儲時間高達5~8ns,可將Pentium系統性能提高140%,與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比,換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。 在去年初許多DRAM生產廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM記憶體條,但其成本 較高。現在每一個記憶體生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初,隨著 64M SDRAM記憶體條的大量上市,SDRAM將佔據主導地位。其價格也將大幅下降。

但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服,其中之一便是主板核心邏輯晶片組的限制。VX晶片組已開始支持168線SDRAM,但一般VX主板只有一條168線記憶體槽,最多可上32M SDRAM,而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板晶片組TX將更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板晶片組TX將更好的支持SDRAM。 SDRAM不僅可用作主存,在顯示卡專用記憶體方面也有廣泛應用。對顯示卡來說,數據帶寬越寬,同時處理的數據就越多,顯示的資訊就越多,顯示品質也就越高。以前用一種可同時進行讀寫的雙端口視頻記憶體(VRAM)來提高帶寬,但這種記憶體成本高,應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上,廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市,帶 寬已擴大到EDO DRAM所能

達到的帶寬的極限,要達到更高的1600×1200的解析度,而又儘量降低成本,就只能採用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。

SDRAM也將應用於共用記憶體結構(UMA)——一種集成主存和顯示記憶體的結構。這種結構在很 大程度上降低了系統成本,因為許多高性能顯示卡價格高昂,就是因為其專用顯示記憶體成本極高,而UMA技術將利用主存作顯示記憶體,不再需要增加專門顯示記憶體,因而降低了成本。

什麼是Flash Memory 記憶體?

介紹關於閃速記憶體有關知識 近年來,發展很快的新型半導體記憶體是閃速記憶體(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的資訊。就其本質而言,Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀記憶體)類型。它既有ROM的特點,又有很高的存取速度,而且易於擦除和重寫, 功耗很小。目前其集成度已達4MB,同時價格也有所下降。

由於Flash Memory的獨特優點,如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS,會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態大容量記憶體。目前普遍使用的大容量記憶體仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點,但它是機電設備,有機械磨損,可*性及耐用性相對較差,抗衝擊、抗振動能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高,價格降低,使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標準,可以十分方便地用於各種可攜式電腦中以取代磁片。當前有兩種類型的PCMCIA卡,一種稱為Flash記憶體卡,此卡中只有Flash Memory晶片組成的存儲體,在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡,此卡中除Flash晶片外還有由微處理器和其他邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標準相容,可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大,價格還不夠便宜。因此主要用於要求可*性高,重量輕,但容量不大的可攜式系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲 器中。

什麼是Shadow RAM 記憶體?

Shadow RAM也稱為“影子”記憶體。它是為了提高系統效率而採用的一種專門技術。 Shadow RAM所使用的物理晶片仍然是CMOS DRAM(動態隨機存取記憶體)晶片。Shadow RAM 佔據了系統主存的一部分地址空間。其編址範圍為C0000~FFFFF,即為1MB主存中的768KB~1024KB區域。這個區域通常也稱為記憶體保留區,用戶程式不能直接訪問。 Shadow RAM的功能是用來存放各種ROM BIOS的內容。或者說Shadow RAM中的內容是ROM BIOS的拷貝。因此也把它稱為ROM Shadow(即Shadow RAM的內容是ROM BIOS的“影 子”)。

在機器上電時,將自動地把系統BIOS、顯示BIOS及其它適配器的BIOS裝載到Shadow RAM 的指定區域中。由於Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同,所以當需要訪問BIOS時, 只需訪問Shadow RAM即可,而不必再訪問ROM。 通常訪問ROM的時間在200ns左右,而訪問DRAM的時間小於100ns(最新的DRAM晶片訪問時間為60ns左右或者更小)。在系統運行的過程中,讀取BIOS中的數據或調用BIOS中的程式模組是相當頻繁的。顯然,採用了Shadow技術後,將大大提高系統的工作效率。 按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖,在如圖所示的1MB主存地址空間中,640KB以下的區域是常規記憶體。640KB~768KB區域保留為顯示緩衝區。768KB~1024KB區域即為Shadow RAM區。在系統設置中,又把這個區域按16KB大小的尺寸分為塊,由用戶設定是否允許使 用。 C0000~C7FFF這兩個16KB塊(共32KB )通常用作顯示卡的ROM BIOS的Shadow區。 C8000~EFFFF這10個16KB塊可作為其他適配器的ROM BIOS的Shadow區。F0000~FFFFF 共64KB規定由系統ROM BIOS使用。 應該說明的是,只有當系統配置有640KB以上的記憶體時才有可能使用Shadow RAM。在系統記憶體大於640KB時,用戶可在CMOS設置中按照ROM Shadow分塊提示,把超過640KB以上的 記憶體分別設置為“允許”(Enabled)即可。

什麼是EDO RAM?

記憶體是電腦中最主要的部件之一。微機誕生以來,它的心臟--CPU幾經改朝換代,目前已發展到了PentiumⅡ,較之於當初,它在速度上已有兩個數量級的增長。而記憶體的構成器件RAM(隨機記憶體)--一般為DRAM(動態隨機記憶體),雖然單個晶片的容量不斷擴大,但存取速度並沒有太大的提高。雖然人們早就採用高速但昂貴的SRAM晶片在CPU和記憶體之間增加一種緩衝設備--Cache,以緩衝兩者之間的速度不匹配問題。但這並不能根本解決問題。於 是人們把注意力集中到DRAM介面(晶片收發數據的途徑上)。

在RAM晶片之中,除存儲單元之外,還有一些附加邏輯電路,現在,人們已注意到RAM晶片的附加邏輯電路,通過增加少量的額外邏輯電路,可以提高在單位時間內的數據流量,即所 謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出了嘗試。

擴展數據輸出(Extended data out--EDO,有時也稱為超頁模式

--hyper-page-mode)DRAM,和突發式EDO(Bust EDO-BEDO)DRAM是兩種基於頁模式記憶體的記憶體技術。EDO大約一年前被引入主流PC,從那以後成為許多系統廠商的主要記憶體選擇。BEDO相對更新一些,對市場的 吸引還未能達到EDO的水準。 EDO的工作方式頗類似於FPM DRAM:先觸發記憶體中的一行,然後觸發所需的那一列。但是當 找到所需的那條資訊時,EDO DRAM不是將該列變為非觸發狀態而且關閉輸出緩衝區(這是FPM DRAM採取的方式),而是將輸出數據緩衝區保持開放,直到下一列存取或下一讀週期開始。由於緩衝區

保持開放,因而EDO消除了等待狀態,且突發式傳送更加迅速。 EDO還具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突發式讀週期時鐘安排:6-2-2-2。這使得在66MHz匯流排上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的數據塊時能節省3個時鐘週期。EDO 易於實現,而且在價格上EDO與FPM沒有什麼差別,所以沒有理由不選擇EDO。 BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的時鐘週期。由於大多數PC應用程式以四周期突 發方式訪問記憶體,以便填充高速緩衝記憶體 (系統記憶體將數據填充至L2高速緩存,如果沒有 L2高速緩存,則填充至CPU),所以一旦知道了第一個地址,接下來的三個就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本質的改進是在晶片上增加了一個地址計數器,用來跟蹤下一個地址。 BEDO還增加了流水線級,允許頁訪問週期被劃分為兩個部分。對於記憶體讀操作,第一部分負責將數據從記憶體陣列中讀至輸出級(第二級鎖存),第二部分負責從這一鎖存將數據匯流排驅動至相應的邏輯級別。因為數據已經在輸出緩衝區內,所以訪問時間得以縮短。BEDO能達到的最大突發式時鐘安排為5-1-1-1(採用52nsBEDO和66-MHz匯流排)比優化EDO記憶體又節省 了四個時鐘週期。

RAM是如何工作的?

實際的記憶體結構由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式,並加上地址選擇及讀寫控制等邏輯電路構成。當CPU要從記憶體中讀取數據時,就會選擇記憶體中某一地址,並將該地 址上存儲單元所存儲的內容讀走。

早期的DRAM的存儲速度很慢,但隨著記憶體技術的飛速發展,隨後發展了一種稱為快速頁面 模式(Fast Page Mode)的DRAM技術,稱為FPDRAM。FPM記憶體的讀週期從DRAM陣列中某一行的觸發開始,然後移至記憶體地址所指位置的第一列並觸發,該位置即包含所需要的數據。第一條資訊需要被證實是否有效,然後還需要將數據存至系統。一旦發現第一條正確資訊,該列即被變為非觸發狀態,並為下一個週期作好準備。這樣就引入了“等待狀態”,因為在該列為非觸發狀態時不會發生任何事情(CPU必須等待記憶體完成一個週期)。直到下一週期開始或下一條資訊被請求時,數據輸出緩衝區才被關閉。在快頁模式中,當預測到所需下一條數據所放位置相鄰時,就觸發數據所在行的下一列。下一列的觸發只有在內存中給定行上進行 順序讀操作時才有良好的效果。

從50納秒FPM記憶體中進行讀操作,理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發式週期(6個時鐘週期用於讀取第一個數據元素,接下來的每3個時鐘週期用於後面3個數據元素)。第一個階段包含用於讀取觸發行列所需要的額外時鐘週期。一旦行列被觸發後,記憶體 就可以用每條數據3個時鐘週期的速度傳送數據了。 FP RAM雖然速度有所提高,但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現了EDO RAM和SDRAM等新型高速的記憶體晶片。

介紹處理器高速緩存的有關知識

所謂高速緩存,通常指的是Level 2高速緩存,或外部高速緩存。L2高速緩存一直都屬於速度極快而價格也相當昂貴的一類記憶體,稱為SRAM(靜態

RAM),用來存放那些被CPU頻繁使 用的數據,以便使CPU不必依賴於速度較慢的DRAM。

最簡單形式的SRAM採用的是非同步設計,即CPU將地址發送給高速緩存,由緩存查找這個地址,然後返回數據。每次訪問的開始都需要額外消耗一個時鐘週期用於查找特徵位。這樣,非同步高速緩存在66MHz匯流排上所能達到的最快回應時間為3-2-2-2,而通常只能達到4-2-2-2。同步高速緩存用來緩存傳送來的地址,以便把按地址進行查找的過程分配到兩個或更多個時鐘週期上完成。SRAM在第一個時鐘週期內將被要求的地址存放到一個寄存器中。在第二個時鐘週期內,SRAM把數據傳送給CPU。由於地址已被保存在一個寄存器中,所以接下來同步SRAM就可以在CPU讀取前一次請求的數據同時接收下一個數據地址。這樣,同步SRAM可以不必另花時間來接收和解碼來自晶片集的附加地址,就“噴出”連續的數據元素。優化 的回應時間在66MHz匯流排上可以減小為2-1-1-1。

另一種類型的同步SRAM稱為流水線突發式(pipelined burst)。流水線實際上是增加了一個 用來緩存從記憶體地址讀取的數據的輸出級,以便能夠快速地訪問從記憶體中讀取的連續數據,而省去查找記憶體陣列來獲取下一數據元素過程中的延遲。流水線對於順序訪問模式,如高速 緩存的行填充(linefill)最為高效。

什麼是ECC記憶體?

ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的縮寫,它代表具有自動糾錯功能的記憶體。目前的ECC記憶體一般只能糾正一位二進位數的錯誤。 Intel公司的82430HX晶片組可支持ECC記憶體,所以採用82430HX晶片的主板一般都可以安裝使用ECC記憶體,由於ECC記憶體成本比較高,所以它主要應用在要求系統運算可*性比較高 的商業電腦中。由於實際上記憶體出錯的情況不會經常發生,所以一般的家用電腦不必採用ECC記憶體,還有不少控制電路晶片不能支持ECC記憶體,所以有不少主機是不宜安裝ECC記憶體的,用戶應注 意對ECC記憶體不要盲從。

SDRAM能與EDO RAM混用嗎?

SDRAM是新一代的動態記憶體,又稱為同步動態記憶體或同步DRAM。它可以與CPU匯流排使用 同一個時鐘,而EDO和FPM記憶體則與CPU匯流排是非同步的。目前SDRAM記憶體的讀寫週期一般為5-1-1-1。相比之下,EDO記憶體器一般為6-2-2-2。也就是說,SDRAM的讀寫週期比EDO少4個,大約節省記憶體讀寫時間28%,但實際上由於電腦內其他設備的制約,使用 SDRAM

的電腦大約可提高性能5~10%。 雖然有不少主機支持SDRAM與EDO記憶體混合安裝方式,但是最好不要混用。原因是多數SDRAM只能在3.3V下工作,而EDO記憶體則多數在5V下工作。雖然主機板上對DIMM和SIMM分別供電,但它們的數據線總是要連在一起的,如果SIMM(72線記憶體)與DIMM(168線SDRAM)混用,儘管開始系統可以正常工作,但可能在使用一段時間後,會造成SDRAM的數據輸入端被損壞。

當然,如果你的SDRAM是寬電壓(3V~5V)工作的產品,就不會出現這種損壞情況。目前T1和SUMSUNG的某些SDRAM產品支持寬電壓工作方式,可以與EDO記憶體混用。

電腦硬體基礎知識大全(下)

高速緩存--Cache 介紹Cache的分級

隨著CPU的速度的加快,它與動態記憶體DRAM配合工作時往往需要插入等待狀態,這樣難以發揮出CPU的高速度,也難以提高整機的性能。如果採用靜態記憶體,雖可以解決該問題,但SRAM價格高。在同樣容量下,SARM的價格是DRAM的4倍。而且SRAM體積大,集成 度低。為解決這個問題,在386DX以上的主板中採用了高速緩衝記憶體--Cache技術。其基本思想是用少量的SRAM作為CPU與DRAM存儲系統之間的緩衝區,即Cache系統。80486以及更高檔微處理器的一個顯著特點是處理器晶片內集成了SRAM作為Cache,由於這些Cache裝在晶片內,因此稱為片內Cache。486晶片內Cache的容量通常為8K。高檔晶片 如Pentium為16KB,PowerPC可達32KB。Pentium微處理器進一步改進片內Cache,採用數據和雙通道Cache技術,相對而言,片內Cache的容量不大,但是非常靈活、方便,極大地提高了微處理器的性能。片內Cache也稱為一級Cache。由於486,586等高檔處理器的時鐘頻率很高,一旦出現一級Cache未命中的情況,性能將明顯惡化。在這種情況下採用的辦法是在處理器晶片之外再加Cache,稱為二級Cache。二級Cache實際上是CPU和主存之間的真正緩衝。由於系統板上的回應時間遠低於CPU的速度,如果沒有二級Cache就不可能達到486,586等高檔處理器的理想速度。二級Cache的容量通常應比一級Cache大一個數量級以上。在系統設置中,常要求用戶確定二級Cache是否安裝及尺寸大小等。二級Cache的大小一般為128KB、256KB或512KB。在486以上檔次的微機中,普遍採用256KB或512KB同步Cache。所謂同步是指Cache和CPU採用了相同的時鐘週期,以相同的速度同步工作。相對於非同步Cache,性能可提高30% 以上。

什麼是CACHE記憶體?

所謂Cache,即高速緩衝記憶體,是位於CPU和主記憶體DRAM(Dynamic

RAM)之間的規模較 小的但速度很高的記憶體,通常由SRAM組成。

SRAM(Static RAM)是靜態記憶體的英文縮寫。由於SRAM採用了與製作CPU相同的半導體工藝,因此與動態記憶體DRAM比較,SRAM 的存取速度快,但體積較大,價格很高。由於動態RAM組成的主記憶體的讀寫速度低於CPU 的速度,而CPU每執行一條指令都要訪問一次或多次主存,所以CPU總是要處於等待狀態,嚴重地降低了系統的效率。採用Cache之後,在Cache中保存著主記憶體內容的部分副本,CPU在讀寫數據時,首先訪問Cache。由於Cache的速度與CPU相當,因此CPU就能在零等待狀態下迅速地完成數據的讀寫。只有Cache中不含有CPU所需的數據時,CPU才去訪問主存。CPU在訪問Cache時找到所需的數據稱為命中,否則稱為未命中。因此,訪問Cache的命中率則成了提高效率的關鍵。而提高命中率則取決於Cache記憶體的映象方式和Cache內 容替換的演算法等一系列因素。

對內存擴容時應遵循哪些規則?

1.對大多數PC機來說,不能在同一組Bank內(每組包括兩到四個插座)將不同大小的SIMM條混合在一起。很多PC機都可安裝不同容量的SIMM,但裝在PC機同一組中的所有SIMM必須具有相同的容量,例如,對一個四插槽組來說,PC機一般既可接受1MB的SIMM條,也可 接受4MB的SIMM條,可在該組的每個槽內安裝1MB SIMM,則這一組共可容納4MB記憶體。也 可在該組每個槽內安裝4MB SIMM,則這一組共可容納16MB記憶體。但是,不能為了得到10MB記憶體,在兩個槽內插入1MB的SIMM條,而在另兩個槽中插入4MB的SIMM條。

2.對於很多PC機來說,若把不同速度的SIMM混合在一起,即使它們的容量相同也會帶來麻煩。例如,電腦中已有運行速度為60納秒(ns)的4MB記憶體,而文檔中說70ns的SIMM也能工作。如果在母板的空閒記憶體槽中再插入速度為70ns的SIMM條,機器會拒絕引導或在啟動後不久就陷於崩潰。對於某些機器來說,若把速度低的SIMM放至第一組,則可解決速度 混合問題。電腦會按最低速度存取,剩餘部分不會再有用。

3.對於大多數PC機來說,必須將一組的所有插槽都插滿。或者將一組全部置空(當然第一組 不行)。在一組中不能只裝一部分。

4.PC機可接受的SIMM大小有一個上限(最大值可從PC機說明書中找到。若沒有說明書,唯 一的方法就是從實踐中找到最大值了)。何謂30線、72線、168線記憶體條 記憶體條;30線;72線;168線 介紹30線、72線、168線記憶體

條的有關知識及相互之間的區別條形記憶體是把一些記憶體晶片焊在一小條印製電路板上做成的,即稱之為記憶體條,所謂記憶體條線數即引腳數,按引腳數不同可把記憶體條分為30線的記憶體條、72線的記憶體條(SIMM, 即Sigle inline Memory Modale)和168線的記憶體條(DIMM,即Double inline Memory Module)。記憶體條的引腳數必須與主板上記憶體槽的插腳數相匹配,記憶體條插槽也有30線、72 線和168線三種。30線記憶體條提供8位有效數據位。常見容量有256KB、1MB和4MB。72線的記憶體條體積稍大,提供32位的有效數據位。常見容量有4MB、8MB、16MB和32MB。按下按鍵你可以看到72線記憶體條的外觀形狀。 168線的記憶體條體積較大,提供64位有效數據位。

如何識別Cache記憶體晶片標誌?

目前微機系統中,常用的靜態RAM的容量有8K×8位(64Kbit)、32K×8(256Kbit)位以及64K×8(512Kbit)位三種晶片,存取時間(週期)為15ns到30ns。以上參數在靜態SRAM晶片上常標注為:XX64-25(XX65-25)、

XX256-15(XX257-15)、XX512-15等。以XX256-15為例,其中“256”表示容量(單位為Kbit),“15”表示存取時間(單位為 ns)。在表示SRAM記憶體容量的數值中,“64”與“65”相同,都表示該晶片的容量為64Kbit,即8KB。同理,“256”與“257”的含義也相同,即該晶片的容量為32KB。例如在華碩PVI686SP3主板上使用的SRAM晶片為W24257AK-15,即該晶片的容量為32K×8位,存取速 度為15ns。

如何用軟體的方法檢測Cache?

檢測;高速緩存;Cache 介紹用軟體檢測Cache的方法 ,主板上Cache的大小和有無很難用一般方法判斷,尤其是有的主板連BIOS都被不法經銷商修改過以方便作假。486時代常用的拔插法現在也不靈了——奔騰主板上很多標稱256K的Cache晶片都是直接SMT(表面安裝)上去的,無法拔插。測試Cache的軟體確實有一些,如 CCT等,但普通用戶很難得到這些專業軟體。

2.分類認識記憶體

記憶體作為微型電腦的重要部件之一,已從早期的普通記憶體,發展到目前的同步動態記憶體,還有越來越廣泛地應用於多媒體領域的RDRAM與後來的SDRAM Ⅱ、DDR RAM。

記憶體大致的分類情況如下:

1.FPM(Fast Page Mode)

FPM(快頁模式)是較早的個人電腦普遍使用的記憶體,它每隔3個時鐘脈衝週期傳送一次數據。現在已很少見到使用這種記憶體的電腦系統了。

2.EDO(Extended Data Out)

EDO(擴展數據輸出)記憶體取消了主板與記憶體兩個存儲週期之間的時間間隔,每隔2個時鐘脈衝週期傳輸一次數據,大大地縮短了存取時間,使存取速度提高30%,達到60ns。EDO記憶體主要用於72線的SIMM記憶體條,以及採用EDO記憶體晶片的PCI顯示卡(參閱本書後面的內容)。

注:EDO記憶體條是普通DRAM記憶體的改進型,它比普通記憶體提高速度約10%20%左右。當它在完成某一單元資訊的讀寫之前,能提前讀寫下一單元的資訊,這樣就提高了記憶體的讀寫速度。但只是在普通記憶體的基礎上改進了它的讀寫方式,但它的讀寫速度卻仍然不夠快,只能達到50ns60ns之間。對於CPU的幾ns的速度來說,仍然存在著很大的差別。

這種記憶體流行在486以及早期的奔騰電腦系統中,它有72線和168線之分,採用5V電壓,帶寬32 bit,可用於Intel FX/VX晶片組主板上,所以某些使用奔騰100/133的電腦系統目前還在使用它。不過要注意的是,由於它採用5V電壓,跟下麵將要介紹的SDRAM不同(SDRAM為3.3v),兩者混合使用時就會很容易會被燒毀,因此在使用前最好瞭解一下該主板使用的是3.3v還是5V電壓。

3.S(Synchronous)DRAM

SDRAM(同步動態隨機記憶體)是目前奔騰電腦系統普遍使用的記憶體形式。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起,使RAM和CPU能夠共用一個時鐘週期,以相同的速度同步工作,與 EDO記憶體相比速度能提高50%。

注:SDRAM採用的是新型的64位數據讀寫形式,記憶體條的引腳為168線,採用雙列直插式的DIMM記憶體條,讀寫速度最高達到了10ns,是目前最快的記憶體晶片,同時也是奔騰II和奔騰III電腦系統首選的記憶體條。

隨著SDRAM的問世,快頁模式(FPM)DRAM被很徹底打入了冷宮。由於高效記憶體積體電路的出現和為優化的奔騰CPU運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶片組的支持, EDO DRAM被廣泛採用了,它採用了一種特殊的記憶體讀出電路控制邏輯,在讀寫一個地址單元時,同時啟動下一個連續地址

單元的讀寫週期。從而節省了重選地址的時間,使存儲匯流排的速率提高到 40 MHz。也就是說,因此說與快頁記憶體相比性能提高了將近15%~30%,而其製造成本卻與之相近,但是也只是輝煌了一時,面市的時間將極為短暫,這是為什麼呢?因此不久之後市場上主流CPU的主頻高達200 MHz以上。為優化CPU的運行效能,匯流排時鐘頻率至少要達到66 MHz以上,多媒體應用程式以及Windows 95/97/98和Windows NT操作系統對內存的要求也越來越高,為緩解速度不夠的瓶頸只有採用新的記憶體結構,否則就不能支持高速匯流排時鐘頻率,而不必於插入指令等待週期,在理論上記憶體的速度需要與CPU頻率同步,即與CPU共用一個時鐘週期的同步動態記憶體(Synchronous DRAMS),所以

SDRAM應運而生,與其它記憶體結構相比,性能/價格比最高,最終取代了它們成為了記憶體發展一個時期內的主流。

SDRAM基於雙存儲體結構,內含兩個交錯的存儲陣列,當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時,另一個就已為讀寫數據做好了準備,通過這兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM的速度早就超過了100MHz,存儲時間達到5~ 8ns毫不費力,現在128 MB的SDRAM記憶體條也是大量上市,SDRAM佔據市場的主導地位已是不可否認的事實,其價格也在大幅下降。

SDRAM不僅可用作主存,在顯示卡上的記憶體方面也有廣泛應用。對前者來說,數據帶寬越寬,同時處理的數據就越多,顯示的資訊就越多,顯示品質也就越高。在此之前的電腦系統還用過可同時讀寫的雙端口視頻記憶體(VRAM)來提高帶寬,但這種記憶體成本高,應用受很大限制。因此在一般顯示卡上,廉價的DRAM和高效的EDO DRAM仍然還在應用著。但隨著64位顯示卡的上市,帶寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限,要達到更高的1600×1200的解析度,而又儘量降低成本,就只能採用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。SDRAM還應用了共用記憶體結構(UMA),這在很大程度上降低了系統成本,因為許多高性能顯示卡價格高昂,就是因為其專用顯示記憶體成本極高所致,而UMA技術將利用主存作顯示記憶體,不再需要增加專門顯示記憶體,因而降低了成本。

注:SDRAM與用作Cache的SRAM是兩個不同的概念,SRAM的全稱是Static RAM(靜態RAM),速度雖快,但成本高,不適合做主存。

4. DDR SDRAM(SDRAM II)

DDR(Double Data Rage雙數據率) 也就是 SDRAMSDRAM II,是SDRAM的更新換代產品,它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸數據,這樣不需要提

高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度,並具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和記憶體帶寬,如64bit記憶體介面200MHz DDR SDRAM比PC100 SDRAM的記憶體帶寬高一倍,266 MHz DDR SDRAM的記憶體帶寬更是達到了2.12 GB/s。DDR SDRAM比800MHz RDRAM的記憶體帶寬還要高,採用2.5v工作電壓,價格也便宜非常多。過去,DDR SDRAM只是應用在顯示卡上,現在由於DDR SDRAM標準已定制好,所以正有許多主板晶片組支持使用它。不過,第一款支持DDR SDRAM的晶片組並不是Intel推出的。而是由Micron推出的,其名稱為Samurai DDR晶片,其性能的優秀性無論是在商業,還是遊戲運行方面都趕得上Intel i840晶片組。但後者提供雙RDRAM通道,可高達3.2 GB/s的記憶體帶寬,比Samurai DDR 266 MHz DDR SDRAM提供的2.12G/秒的記憶體帶寬高出33%,整體性能也要好一些,這其是因為RDRAM的潛伏等待時間要比SDRAM長,所以PC133 SDRAM(參閱下麵的內容)和DDR SDRAM使得RDRAM在低端和高端系統上的優勢全無,而DDR SDRAM更是成為了市場的主流。如,現代電子出品的64MB DDR SDRAM在128 MB記憶體匯流排,4Mx16顆,工作頻率為333MHz,提供了5.3 GB/s的數據帶寬,市場前景不用說了,一定會是不錯的。

5.RDRAM(Rambus DRAM)

RDRAM(記憶體匯流排式動態隨機記憶體)是Rambus公司開發的具有系統帶寬、晶片到晶片介面設計的新型DRAM,它能在很高的頻率範圍下通過一個簡單的匯流排傳輸數據,同時使用低電壓信號,在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸數據。

6.Flash Memory

Flash Memory(閃速記憶體)是一種新型半導體記憶體,主要特點是在不加電的情況下長期保持存儲的資訊。就其本質而言,Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀記憶體)類型,既有ROM的特點,又有很高的存取速度,而且易於擦除和重寫,功耗很小。目前其集成度已達4MB,同時價格也有所下降。由於這一獨特優點,Flash Memory在一些較新的主板上普遍採用著,以便使得BIOS 升級非常方便,但時也會CIH這樣的電腦病毒以可乘之機,讓許多電腦飽受磨難。

Flash Memory可用作固態大容量記憶體,但目前普遍使用的大容量記憶體仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點,但它是機電設備,有機械磨損,可*性及耐用性相對較差,抗衝擊、抗振動能力也弱,功耗也大。而Flash Memory集成度高,價格也在逐漸降低,專家們對它的應用前景相當樂觀。

7.Shadow RAM

Shadow RAM也稱為“影子記憶體”,是為了提高電腦系統效率而採用的一種專門技術,所使用的物理晶片仍然是CMOS DRAM(動態隨機存取記憶體,參閱本書後面的內容)晶片。Shadow RAM 佔據了系統主存的一部分地址空間。其編址範圍為C0000~FFFFF,即為1MB主存中的 768KB~1024KB區域。這個區域通常也稱為記憶體保留區,用戶程式不能直接訪問。 Shadow RAM的功能就是是用來存放各種ROM BIOS的內容。也就是複製的ROM BIOS內容,因而又它稱為ROM Shadow,這與Shadow RAM的意思一樣,指得是ROM BIOS的“影 子”。現在的電腦系統,只要一加電開機,BIOS資訊就會被裝載到Shadow RAM中的指定區域裏。由於Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同,所以當需要訪問BIOS時, 只需訪問Shadow RAM而不必再訪問ROM,這就能大大加快電腦系統的運算時間。通常訪問ROM的時間在200ns左右,訪問DRAM的時間小於100ns、60ns,甚至更短。

在電腦系統運行期間,讀取BIOS中的數據或調用BIOS中的程式模組的操作將是相當頻繁的,採用了Shadow RAM技術後,無疑大大提高了工作效率。

8.ECC記憶體

ECC(Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting)是一種具有自動糾錯功能的記憶體,Intel的82430HX晶片組就支持它,使用該晶片的主板都可以安裝使用ECC記憶體,但由於ECC記憶體成本比較高,所以主要應用在要求系統運算可*性比較高的商業電腦中。由於實際上記憶體出錯的情況不會經常發生,相關的主板產品還不多,一般的家用與辦公電腦也不必採用ECC記憶體。

9. CDRAM(Cached DRAM)

CDRAM(Cached DRAM)帶高速緩存動態隨機記憶體)是日本三菱電氣公司開發的專有技術,它通過在DRAM晶片上集成一定數量的高速SRAM作為高速緩衝記憶體和同步控制介面來提高記憶體的性能。這種晶片使用單一的+3.3V電源,低壓TTL輸入輸出電平。

10.DRDRAM(Direct Rambus DRAM)

DRDRAM (介面動態隨機記憶體)是Rambus在Intel支持下制定的新一代RDRAM標準,與傳統DRAM的區別在於引腳定義會隨命令而變,同一組引腳

線可以被定義成地址,也可以被定義成控制線。其引腳數僅為正常DRAM的三分之一。當需要擴展晶片容量時,只需要改變命令,不需要增加晶片引腳。這種晶片可以支持400MHz外頻,再利用上升沿和下降沿兩次傳輸數據,可以使數據傳輸率達到800MHz。同時通過把單個記憶體晶片的數據輸出通道從8位擴展成16位,這樣在100MHz時就可以使最大數據輸出率達1.6 GB/s。

11.SLDRAM(Synchnonous Link DRAM)

SLDRAM(同步鏈接動態記憶體)是由IBM、惠普、蘋果、NEC、富士通、東芝、三星和西門子等大公司聯合制定的,一種原本最有希望成為標準高速DRAM的記憶體。這是一種在原DDR DRAM基礎上發展起來的高速動態讀寫記憶體,具有與DRDRAM相同的高數據傳輸率,但其工作頻率要低一些,可用於通信、消費類電子產品、高檔的個人電腦和服務器中。不過,由於各種各樣的原因,這種動態記憶體難以形成氣候。

12.VCM(Virtual Channel Memory)

VCM(虛擬通道記憶體)由NEC公司開發,是一種新興的緩衝式DRAM,可用於大容量的SDRAM。此技術集成了“通道緩衝”功能,由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸,讓帶寬增大的同時還維持著與傳統SDRAM的高度相容性,所以通常也把VCM記憶體稱為VCM SDRAM。

13. FCRAM(Fast Cycle RAM)

FCRAM(快速迴圈動態記憶體)是由富士通和東芝聯合開發的記憶體技術,數據吞吐速度可超過DRAM/SDRAM的4倍,能應用於需要極高記憶體帶寬的系統中,如伺服器、3D圖形及多媒體處理等場合,其主要的特點是:行、列地址同時(並行)訪問,而不像普通DRAM那樣首先訪問行數據,再訪問列數據。此外,在完成上一次操作之前,便開始下一次操作。不過這並用於主記憶體,而是用於諸如顯示記憶體這樣的其他記憶體上 顯卡

對於每一位追求電腦性能的DIY來說,顯卡無疑是最重要的一樣配件。在這個顯卡技術高速發展的階段,雖然可選擇的顯卡晶片廠商減少了,但基於相同廠商的顯卡型號卻分得很細,性能也各不相同。其中繁複處可能即便是專業人員

也難以盡述。用戶選擇顯卡的時候對一些專業數據接觸也多了,簡單點如晶片內核頻率、顯存頻率,複雜點如像素填充率、顯存帶寬等。各顯卡品牌在各自的顯卡描述中也有這方面提及,但對於有些方面可能會有故意忽略某些細節,只提供那些炫目的優勢數據,用戶沒有完整的瞭解,這是缺乏公平性的。這裏我主要給大家介紹一下顯卡的性能參數,如何根據這些參數確定顯卡的性能,希望你在下次選購顯卡時能更好的選到自已所需的產品。

首先我們瞭解一下對於一塊顯卡來說最重要的指標是什麼。這裏排除顯卡對整個系統顯示性能起決定性作用的包括了CPU、記憶體、主板和驅動軟體。這樣一個平臺必須處理大量幾何運算,如大家常聽到的T&L即光源和變形處理技術就需要強勁的浮點運算並佔用主記憶體帶寬。如果顯卡不帶硬體T&L功能,這部分任務就全部落在CPU、記憶體和主板組成的工作組上。在圖形幀幅計算時,頂點和紋理通過匯流排(即PCI或者AGP 1x、2x、4x)傳送至3D卡。

這時如果這個平臺越快,所傳輸的幀幅也越多。這些影響顯卡性能的外因並不是我今天想講的,對於顯卡本身最重要的是其晶片提供的像素填充率和它的顯存帶寬。下麵讓我們來瞭解它們:

像素填充率的最大值為3D時鐘乘以渲染途徑的數量。如NVIDIA的GeForce 2 GTS晶片,核心頻率為200 MHz,4條渲染管道,每條渲染管道包含2個紋理單元。那麼它的填充率就為4x2像素x2億/秒=16億像素/秒。這裏的像素組成了我們在顯示幕上看到的畫面,在800x600解析度下一共就有800x600=480,000個像素,以此類推1024x768解析度就有1024x768=786,432個像素。我們在玩遊戲和用一些圖形軟體常設置解析度,當解析度越高時顯示晶片就會渲染更多的像素,因此填充率的大小對衡量一塊顯卡的性能有重要的意義。剛才我們計算了GTS的填充率為16億像素/秒,下麵我們看看MX200。它的標準核心頻率為175,渲染管道只有2條,那麼它的填充率為2x2像素x1.75億/秒=7億像素/秒,這是它比GTS的性能相差一半的一個重要原因。大家知道了,填充率的大小取決於顯示晶片,目前只要買正規廠商的顯卡都不會在晶片上有什麼機關,一分錢一分貨,而我下麵重點要講的顯存就沒有這麼透明了。

我們在購買顯卡時常可以看到關於顯存的參數,主要有顯存的速度,以納秒為單位;顯存的工作頻率,以MHz為單位;顯存的數據位寬,以bit為單位。這裏顯存的速度決定了其工作頻率,如-7.5ns的顯存標準頻率可上133MHz ,-5ns的顯存標準頻率可上200MHz。但在顯卡上有時顯存工作頻率與其速度不成正比,如Geforce3普遍採用3.8ns的DDR顯存,標準應該是263MHz ,因是DDRAM則標準頻率為526MHz,而我們知道Geforce3的顯存標準頻率為460MHz,給用戶預留了很大的超頻空間。而也有顯存速度標為-7ns的,本應為143MHz但卻默

認工作頻率為166MHz ;有的顯存速度標為-4.5ns卻不能上222MHz。所以在購買顯卡時單看顯存晶片上標識的速度值並不可*,一定要詢問清楚顯存的默認工作頻率。

顯存的數據位寬是一項經常被用戶忽略的參數,但是其重要性甚至要超過顯存的工作頻率,因為位寬決定了顯存帶寬,而顯存帶寬已經成為現在制約顯卡性能的瓶頸。顯示晶片與顯存之間的數據交換速度就是顯存的帶寬,單只晶片有強大的處理能力, 但顯存帶寬不高的話 ,顯存將制約著這塊晶片無法達到其設計處理能力。我們把Geforce3的顯存頻率超到500MHz,這時帶寬高達8GB/s,但是在一些複雜圖形環境一樣會因顯存帶寬不夠而影響到處理速度。在顯卡工作過程中,Z緩衝器、幀緩衝器和紋理緩衝器都會大幅佔用顯存帶寬資源。帶寬是3D晶片與本地記憶體傳輸的數據量標準,這時候顯存的容量並不重要,也不會影響到帶寬,相同顯存帶寬的顯卡採用64MB和32MB顯存在性能上區別不大。因為這時候系統的瓶頸在顯存帶寬上,當碰到大量像素渲染工作時,顯存帶寬不足會造成數據傳輸堵塞,導致顯示晶片等待而影響到速度。目前顯存主要分為64位和128位,在相同的工作頻率下,64位顯存的帶寬只有128位顯存的一半。顯存帶寬的計算方法是帶寬=工作頻率X數據位寬/8。這也就是為什麼Geforce2 MX200(64位SDR)的性能遠遠不如Geforce2 MX400(128位SDR)的原因了。許多顯卡廣告中對64位顯存避而不談,採用不告知政策,用戶在採購顯卡時應該問清楚這一問題,在相同的頻率下, 16M 128bit的性能可能比32M 64bit還要好的,因為顯存帶寬對於顯卡性能太重要了。對於未來顯卡性能提升,當務之急是要解決顯存的帶寬問題。

由於現階段記憶體晶片價格極低,許多廠商開始在顯存容量上做文章。採用64MB顯存的顯卡越來越多。不過好像有一款Geforce2 MX400雖用了64MB顯存,但卻不採用MX400標準128位顯存而改用了64位顯存,這樣在性能上不會有提高。個人覺得這種做法有誘騙用戶的成份,以顯存容量吸引用戶,卻不告知用戶關於性能上的實情,用戶得花比正規32MB顯卡要多的錢去買他蓄意降低性能迎合市場的產品。但對於這個廠商在成本上也確實要高一些,最終落得雙方均不划算,這種市場手段太失敗,主要原因是因為策劃者沒有把用戶放在第一位去替他們著想,只顧玩弄市場手段,最後吃虧的還是自已。

集成聲卡

整合技術是PC發展的趨勢,目前市場上的一些主板更是將這一特色發揮地淋漓盡致,那些集成了顯卡、聲卡的主板正大行其道(其中以集成聲卡為最為普

遍)。不過,由於認識的誤區,很多DIYer對集成聲卡並不感興趣,甚至把“集成聲卡”與“劣質聲卡”劃等號,或者乾脆稱其為“垃圾”,事實果真如此嗎?

一、何謂AC’97

自從威盛(VIA)在其MVP3主板晶片中提出了“AC’97聲卡”這個概念,我們便常常在形形色色的主板說明書上見到它,最後也就有了“AC’97軟聲卡”一說。發展到後來,“AC’97”乾脆成了軟聲卡的代名詞。可是如果你去看看某些高檔聲卡的技術資料,你就會驚訝地發現“該卡採用AC’97標準”,難道高檔聲卡也是軟聲卡?要知道這其中的奧妙,還須先認識AC’97規範(或標準)。

1.AC’97的提出

1996年6月,5家PC領域中頗具知名度和權威性的軟硬體公司共同提出了一種全新思路的晶片級PC音源結構,也就是我們現在所見的“AC’97”標準(Audio Codec97)。

2.什麼是AC’97規範

早期的ISA聲卡由於集成度不高,聲卡上散佈了大量元器件,後來隨著技術和工藝水準的發展,出現了單晶片的聲卡,只用一塊晶片就可以完成聲卡所有的功能。但是由於聲卡的數字部分和模擬部分集成在一起,很難降低電磁干擾對模擬部分的影響,使得ISA聲卡信噪比並不理想。

AC’97標準則提出“雙晶片”結構,即將聲卡的數字與模擬兩部分分開,每個部分單獨使用一塊晶片。AC’97標準結合了數字處理和模擬處理兩方面的優點,一方面減少了由模擬線路轉換至數字線路時可能會出現的雜訊,營造出了更加純淨的音質;另一方面,將音效處理集成到晶片組後,可以進一步降低成本。

3.AC’97的應用

1997年後,市場上出現的PCI聲卡大多數已經開始符合AC’97規範,把模擬部分的電路從聲卡晶片中獨立出來,成為一塊稱之為“Audio Codec”(多媒體數字信號編解碼器)的小型晶片,而聲卡的主晶片即數字部分則成為一塊稱之為“Digital Control”(數字信號控制器)的大晶片。

由此可見,AC’97並不是某種聲卡的代稱,而是一種標準。

二、集成聲卡中的主流──軟聲卡

通過上面的介紹,我們知道一塊符合AC’97標準的聲卡是有“Audio Codec”與“Digital Control”兩個晶片的。那麼所謂的“AC’97軟聲卡”是什麼意思呢?原來,VIA和INTEL相繼在主板晶片組的南橋晶片中加入聲卡的功能,通過軟體

模擬聲卡,完成一般聲卡上主晶片的功能,音頻輸出就交給“Audio Codec”晶片完成。所以這類主板上沒有那種較大的“Digital Control”晶片,只有一塊小小的“Audio Codec”晶片。下麵我們就以一塊創新Sound Blaster PCI128 Digital和一款i815E主板為例,來看看普通聲卡與AC’97軟聲卡的區別。

我們很容易在聲卡上找到那塊比較大的主晶片──“Digital Control”及體積很小的“Audio Codec”,Sound Blaster PCI128 Digital的“Digital Control”晶片(圖1中的1標記處)型號是“CT5880”。作為聲卡上的核心處理晶片,“Digital Control”的作用如同電腦中的CPU,需完成大部分的聲卡功能,如WAV回放、MIDI合成、音效處理等,聲卡的主要技術參數都取決於它,它是決定聲卡檔次的重要依據。距離“Digital Control”不遠就是“Audio Codec”晶片,別看它小,它比普通DAC(數模轉換)晶片能完成更多的功能,包括把模擬信號轉換為數字信號的ADC(模數轉換),多路模擬信號混合輸入及輸出等多種功能,跟音響中的數字編碼/解碼器和前置功放的作用差不多。這裏的“Audio Codec”是SigmaTel的STAC9708晶片。根據AC’97標準的規定,不同“Audio Codec”晶片之間的引腳相容,原則上可以互相替換。

由於軟聲卡沒有“Digital Control”晶片,而是採用軟體模擬,所以CPU佔用率比一般聲卡高。如果CPU速度達不到要求或因為驅動軟體有問題,就很容易產生爆音,影響音質。

三、集成聲卡中的“另類”──硬聲卡 由於軟聲卡有著諸多不足,於是一些主板廠商便想到了另外一個集成聲卡的方法──將普通聲卡上的“Digital Control”晶片也“搬”到主板上,即把晶片及輔助電路都集成到主板上(這種“集成聲卡”其實就是傳統意義上的聲卡),這樣相對於單獨的主板和聲卡來說,成本降低了很多,而且聲音效果在理論上與獨立聲卡差不多。在這種集成硬聲卡主板PCI插槽的附近,你都能找到一塊大大的“Digital Control”晶片。

目前集成硬聲卡的主板越來越多,常見的晶片有以下幾種:

1.CT5880

CT5880是創新公司面向中低端市場的一款主打產品,採用該晶片製成的聲卡就是“Sound Blaster PCI128 Digital”。它支持128複音和多音色,16個MIDI通道,並且支持4聲道;支持Microsoft DirectSound、DirectSound 3D及其衍生標準。就CT5880的表現而言,能滿足絕大部分對聲音要求不是很高的用戶需求。CT5880是目前使用最多的一款被集成到主板上的音效晶片。

2.CMI8738

CMI8738是臺灣驊訊電子(C-Media)的產品。1999年自行開發出4聲道音效晶片CMI8738/4CH,除了具有3D定位功能,同時也提供數字光纖介面,以及支持家庭劇院系統。在CMI8738/4CH的基礎上,驊訊又推出了6聲道的

CMI8738/6CH音效晶片。除具備CMI8738/4CH的所有功能外,該晶片還增加了的6聲道的輸出功能。它可搭配5.1的6聲道或4.1的4聲道音箱,配合DVD播放軟體構成完整的小型個人家庭劇院系統需昂貴的外部硬體。

注意:CMI8738內置了“Audio Codec”晶片,雖然降低了成本,減少了電路的複雜程度,但不符合AC’97標準,因此信噪比不高,不適合那些注重音質的用戶使用。還有,因為CMI8738有多個版本,所以在挑選集成該晶片的主板時,一定要注意晶片的版本號。

3.YAMAHA 744

YAMAHA公司的音效晶片在用戶中一直有比較好的口碑,從ISA時代的719到PCI時代的724,都獲得了不小的成功。與 YMF724相比,YMF744的功能也得到了較大的改進,其最新版本為YMF744B-V。晶片支持PCI2.2和PC99規範,為128針LQFP封裝,支持多聲道4揚聲器輸出,可為用戶提供環繞身歷聲效果。744晶片最大的特點是它的三維音效功能,它完全支持EAX環境音效、Direct Sound和Direct Sound 3D,並可通過軟體運算獲得A3D效果。

四、使用集成聲卡的注意事項

不管是集成的軟聲卡,還是硬聲卡,由於目前主板在設計上還沒有大的突破,所以在實際使用中最容易出現干擾大、有爆音等毛病。因此,要讓你的集成聲卡有更好的表現,請注意以下幾點:

1.驅動程式是關鍵。驅動程式對於聲卡的表現非常重要,特別是軟聲卡,好的驅動程式往往能使其表現讓你刮目相看。對於硬聲卡,可以到該晶片的生產商網站下載其最新驅動程式,如CT5880,就可以到創新公司下載“Sound Blaster PCI128 Digital”的驅動程式。

2.關閉某些輸入端口。在聲卡的音頻屬性中,將那些用不著的輸入端口置於“靜音”狀態,如“線路輸入”、“麥克風輸入”等,這樣也能減少噪音的干擾(圖7圖)。

3.儘量不超頻。當將系統的外頻超到一定程度後,集成聲卡就無法正常工作。這是因為機器在非標準外頻下工作時,PCI的工作頻率也隨之提高,而集成聲卡是集成在主板上的,其超頻性能特別差,所以為了聲卡的安全與性能,還是不要超頻或者適度超頻。 200MHz外頻桌面處理器普及

對於PC系統而言,外頻的重要性不言而喻。然而,或許是我們已經習慣了Intel以及AMD的創舉,面對2003年的200MHz外頻大潮,激動之情已經略顯衰退。但是從技術角度而言,其重要性絲毫不打折扣。

採用Quad Pump前端匯流排技術的Pentium4處理器因為採用了200MHz外頻而達到800MHz前端匯流排,這也是其性能大幅度提高的重要原因之一,令NetBurst架構發揮出最大的威力。同樣,當AMD將Barton處理器提升到200MHz外頻之後,配合其512KB大容量二級緩存,Socket A平臺的性能也變得前所未有的強大。200MHz外頻的意義不僅僅是改善處理器性能,記憶體性能也因此得以提高。DDR400技術的出現幫助系統同步運行,此時整體系統性能的提升幅度令人相當滿意。

64位桌面處理器浮出水面

AMD於2003年9月23日發佈的Athlon64將成為一款具有里程碑意義的產品。這也是繼80386處理器之後又一次對指令執行位數的升級,達到64位。然而與以往不同的是,此次“單幹”的AMD選擇了更為穩妥的策略,X86-64對於32位程式具有極佳的相容性,因此理應可以順利完成過渡期。從目前的表現來看,即便是在32位測試軟體中,Athlon64的表現也十分搶眼,完全不輸於高頻率的Pentium4甚至P4EE。更為重要的是,Windows XP-64Bit Editon、Windows 2003 Sever、Solaris 64bit Editon以及Linux64等操作系統都已經提供對X86-64的支持,這也標誌著今後Athlon64將不會孤立無援,因此前景一片大好。

毫無疑問,這將是Intel最不希望看到的局面,它可以容忍AMD的處理器在性能上超越自己,但是決不能坐視業界向自己最不期望的方向發展。一旦AMD憑藉強大的業界聯盟使軟體開發商倒向64位平臺,Intel將會十分被動,甚至迫不得已向X86-64低頭,繼而以授權的方式將其引入下一代Intel處理器。

DirectX9顯卡遍地開花ctX9顯卡

在速度上的過分追求已經使玩家對3D遊戲失去了興趣,以高成本來締造“像素填充率”顯然是沒有意義的。誠然,各種絢麗奪目的3D特效需要極高的像素

填充率以及顯存帶寬作保證,但是在硬體上支持更多的特效才是重中之重。

令人感到欣喜的是,支持DirectX9 API的顯卡在2003年大量出現,它們以極高的性價比吸引大量用戶。甚至在低端市場,雄心勃勃的Geforce FX5200系列更是將DirectX9 API徹底普及化。正是在這樣的環境下,遊戲開發人員才得以撇開惱人的相容性問題,大膽地採用更多新技術,令3D遊戲特效達到前所未有的高度。

雙通道DDR晶片組統領潮流

當我們正在為Intel與AMD的頻率大戰而津津樂道之時,猛然間發現晶片組似乎在一定程度上主宰了這場比拼的勝負。毫無疑問,系統整體性能的發揮離不開晶片組的支持,而決定晶片組的關鍵就在於北橋晶片中的記憶體控制器。

當DDR SDRAM工作頻率高於133MHz時,其信號波形往往會出現失真問題,這些都為設計支持雙通道DDR記憶體系統的晶片組帶來不小的難度,晶片組的製造成本也會相應地提高。不過當nVIDIA率先攻破技術壁壘推出nForce晶片組之後,SiS與Intel迅速跟進,VIA也即將加入這一陣營。毫無疑問,雙通道DDR晶片組普及已是板上釘釘,這也是2003年晶片組技術的一大亮點。

SerialATA硬碟繼往開來

為了徹底解決硬碟外部介面的瓶頸,由七家公司聯合組建的“串行ATA工作集團”制定了第一代SerialATA規範。令人感到高興的是,2003年出現了大量直接支持SerialATA技術的南橋晶片,同時Promise、HighPoint以及Silicon的SerialATA磁片控制晶片也令不少老主板得以使用SerialATA硬碟。

除了SerialATA控制晶片,本身採用SerialATA介面的硬碟也相繼浮出水面,其中Seagate與Maxtor更是將SerialATA硬碟的成本大幅度下降,直接促成其普及。應當指出的是,目前SerialATA硬碟仍舊沒能充分發揮出SerialATA介面的優勢,一方面是內部傳輸率不足,另一方面便是大多數SerialATA依舊採用轉接晶片,其內部信號依舊是並行的。

DVD刻錄機應運而生

CD-RW的普及一定程度上緩解了存儲設備的容量危機,但是面對GB數量級的視頻檔以及備份應用,傳統CD-RW不堪重負。在DVD規格之爭逐漸明朗之後,一場由DVD刻錄而帶來的存儲革命已經悄然向我們襲來。

在2003年之初,主流DVD刻錄標準主要分為三種:DVD-RAM、DVD-R/RW與DVD+R/RW,而且互相之間並不相容,這也是阻礙其發展重要因素。繼

DVDRAM基本宣告退出民用市場之後,DVD-R/RW與DVD+R/RW真正在產品技術上實現融合。原本以為僅僅是一廂情願的DVD-Dual規格,因為控制晶片成本的下降以及權利金的下調而迅速脫穎而出。至此,DVD刻錄的大局面終於初步形成,無論從市場需求、產品成本以及業界支持度來看都是如此。更為重要的是,如今DVD刻錄機的技術也不斷成熟,8X刻錄令4.5GB的數據只需要短短10分鐘不到即可完成!

LCD品質趨於完善

早在2001年,液晶顯示器就渴望取代老態龍鍾的CRT。但是,隨著液晶面板的價格暴漲,LCD很快就偃旗息鼓了。時隔兩年之後,LCD東山再起,捲土重來,技術與市場的成熟卻真正讓LCD與我們*得更近。

如今的LCD在可視角度、對比度、亮度、回應時間等方面都取得長足的進步。通過多燈管技術,LCD的對比度與亮度逐漸彌補與CRT顯示器之間的差距,而且整體色彩表現更為均勻。更為使人高興的是,回應時間的縮短令LCD的應用範圍大幅度拓寬。

數字顯亮技術也是本年的一個亮點,飛利浦宣導的這個技術從提高銳度方面入手提高LCD顯示器清晰度,使LCD向取代CRT的目標邁出了一大步。

移動存儲突破同質化

長期以來移動存儲產品無法突破同質化這個怪圈,大多數產品在外形功能性能上幾乎一模一樣。2003年度出現了幾款突破同質化桎梏的移動存儲產品,它們在功能、設計、性能上均標新立異,給了消費者更多的選擇和驚喜。

其中比較有代表性的就是朗科公司推出的新概念產品——可視優盤,它在傳統閃存盤數據存儲與交換功能的基礎上,獨出心裁地增加了液晶顯示功能,用戶無須將閃存盤插在電腦上,就可以從顯示幕上一目了然地識別所有靜態和動態資訊。靜態資訊如用戶名、容量、電話號碼、問候語等;動態資訊則包括優盤在讀寫時顯示的動態容量、傳輸過程等,從而使移動存儲產品無論在外觀還是功能上都有了質的飛躍。

無線網路觸動心弦

當100M網卡普及之後,有線網路的技術已經非常成熟了,但是當你發現冗長的網線束縛了你的移動設備,無線網路的必要性就得以突顯。

與藍牙技術相比,今年流行的WIFI技術顯然更具實用性。IEEE802.11b標準的WIFI無線網路得到11Mbps帶寬,然而更為重要的是,它在傳輸距離方面具有很大的優勢,甚至渴望成為局域有線網路的接替者。

更為令人歡欣鼓舞的是,IEEE802.11b並非是WIFI技術的終點。具備54Mbps帶寬的IEEE802.11g已經開始悄悄普及,甚至連100Mbps帶寬的IEEE802.11n都浮出水面。毫無疑問,未來無線網路技術一大熱門技術,特別是在破解傳輸帶寬、傳輸範圍以及安全性等諸多技術難題之後。

數碼相機技術指標全面提升?

數碼相機以全新的攝影操作和一些特殊的功能應用改變著人們百年來培養起來的傳統攝影觀念,並開始衝擊傳統相機在人們生活中的地位。應當清醒並欣喜地認識到,伴隨著數碼相機技術的成熟化,數碼影像在2003年取得長足的進步。

我們驚喜地看到600萬像素成為一道亮麗的風景線,儘管數碼相機的像素級別絕非是衡量性能的唯一標準,就像CPU無法度量整機的總體表現一樣,但是這並不妨礙我們關注這項技術。300萬像素的普及意味著數碼照片將不僅僅局限於電腦螢幕,此時數碼沖印的效果已經可以媲美於傳統銀鹽彩擴;而更高的像素對於大幅面數碼沖印也是大有裨益的,更令數碼變焦也能體現出一定的實用價值。

此外,高品質光學鏡頭的確也令數碼相機的水準大幅度提高,不僅有效改善了畫質,同時高倍光學變焦也得以普及。佳能與卡西歐所採用的佳能原裝鏡頭、索尼所採用的高級蔡司、美能達所採用的GT系列鏡頭、柯達所採用的德國Schneider-Kreuznach Variogon鏡頭,這些都為數碼相機在本質性能上提高打下堅實基礎。

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