专利名称：半导体器件和半导体装置专利类型：实用新型专利发明人：K.霍赛尼,A.毛德申请号：CN201320118300.0申请日：20130315公开号：CN203521403U公开日：20140402
摘要：本实用新型提供了半导体器件和半导体装置。所述半导体器件包括：包括p区和n区的补偿区；在所述补偿区的一侧的晶体管单元；在所述晶体管单元上的第一电极；在所述补偿区的另一侧的第二电极，其中，所述第二电极包括多个金属化层；以及互连层，沉积于所述第二电极的金属化层，其中，所述互连层具有小于20μm的厚度。
申请人：英飞凌科技奥地利有限公司
地址：奥地利菲拉赫
国籍：AT
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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