功率MOSFET在电源板上参数解读
---朱鹏
SymbolVDSSID
Parameter
Drain to Source Voltage
Continuous Drain Current (@TC=25oC)Continuous Drain Current (@TC=100oC)Drain current pulsed
中文描述漏源电压标称值漏源标称电流
参考BVDSS
漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP、OLP的过程中会引起电流击穿的风险。
对电源系统的影响
IDM
反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电漏源最大单脉冲电流流强度，该参数过小，电源系统在做OCP或O
LP测试时，有电流击穿的风险。
栅漏电压
栅极可承受的最大电压范围，在任何条件下，必须保证其接入的电压必须在规格范围内。MOSFET的栅极也是MOSFET最薄弱的地方。MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量，该能量如果过小在做OCP、OLP、SURGER、耐压等测试项目时有失效的风险。
VGSEASEAR
Gate to Source Voltage
Single pulsed Avalanche Energy 单脉冲雪崩能量Repetitive Avalanche Energy 重复雪崩能量
dv/dtPeak diode Recovery dv/dt
（1）dv/dt反应的是器件承受电压变化速率的
能力，越大越好。
漏源寄生二极管恢复电（2）对系统来说，过高的dv/dt必然会带来高压上升速率
的电压尖峰，较差的EMI特性，不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。
最大耗散功率结温及贮存温度最大引线焊接温度
该值越大越好，由于该值的测试是模拟理想环境，所以测试出来值跟实际应用比起来差异特别大，参考意义比较有限。
该参数表明MOSFET的温度承受能力，越大越好该参数是针对插件类产品来说，该参数值越大，焊接时温度承受能力越好。
Total power dissipation (@TC=25oC)
PDTSTG, TJ
TL
DeratingFactor above 25oCOperating Junction Temperature & Storage TemperatureMaximum Lead Temperature for solderingpurpose, 1/8 from Case for 5 seconds.
SymbolRthjcRthcsRthjaSymbolIS
Parameter
Thermal resistance, Junction to case Thermal resistance, Case to Sink
Thermal resistance, Junction to ambient
Parameter
Continuous source current
中文描述应用系统关联参数解读
结到封装的热阻
该系列参数均表明在发热相同条件下器件散
封装到散热片的热阻
热能力的强弱，热阻越小散热越快。
结到空气热阻
中文描述
最大连续续流电流
应用系统关联参数解读
漏源间可承受的最大持续电流，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP、OLP的过程中会引起电流击穿的风险。反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做OCP或OLP测试时，有电流击穿的风险。该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大，温升过高。
该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大，温升过高。同时也加重了电路直通的风险。
该参数与充电时间成正比，一般越小越好。
ISMVSDTrrQrr
Pulsed source currentDiode forward voltage drop.Reverse recovery time Reverse recovery Charge
最大单脉冲续流电流二极管源漏电压反向恢复时间反向恢复充电电量
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Symbol
Off characteristicsBVDSS
Drain to source breakdown voltage
漏源击穿电压
漏源极最大承受电压，该参数为正温度系数。如果BVDSS过小，应用到余量不足的系统板中会引起MOSFET电压失效，从而引起大电流环路里的电阻保险等相关器件的烧毁。
Parameter
中文描述
应用系统关联参数解读
ΔBVDSS/ ΔTJIDSS
Breakdown voltage temperaturecoefficient
Drain to source leakage currentGate to source leakage current, forwardGate to source leakage current, reverse
漏源击穿电压的温度系正温度系数，反应的是BVDSS温度稳定性，数其值越小，表明稳定性越好。漏源漏电流
正温度系数，IDSS越大，MOSFET关断时的
损耗越大，会导致相应的温升效应。栅极漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。
IGSS
栅极驱动漏电流
On characteristics
（1）VGS(TH)越高，MOSFET米勒平台也就越高，开启越慢，开关损耗越小，进而产生的温升也越小。
（2）其直接反应MOSFET的开启电压，MOSFET实际工作时电压必须大于平台电压，如果栅极驱动电压长期工作在平台附近，会导致器件不能完全打开，内阻急剧上升，从而器件产生相应的热失效现象。
同一规格的MOSEFET RDS(ON)越小越好，其直接决定MOSFET的导通损耗，RDS(ON)决越大，损耗越大，MOSFET温升也越高。在较大功率电源中，RDS(ON)损耗占MOSFET整个损耗中较大比例。
RDS(ON)的变化会引起客户系统板OCP过流保护点的变化。
其反应的是栅电压对漏源电流控制的能力，Gfs过小会导致MOSFET关断速度降低，关断能力减弱，Gfs过大，会导致关断过快，EMI特性差，同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。
该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因。但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性。
这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响。
VGS(TH)
Gate threshold voltage开启电压RDS(ON)
Drain to source on state resistance导通电阻
GfsForward Transconductance正向跨导
Dynamic characteristics
Ciss
Input capacitance输入电容=Cgs+Cgd
CossCrsstd(on)trtd(off)tfQgQgsQgd
Output capacitance
Reverse transfer capacitanceTurn on delay timeRising timeTurn off delay timeFall timeTotal gate chargeGate-source chargeGate-drain charge
输出电容=Cds+Cgd反向传输电容=Cgd(米勒电容)漏源导通延迟时间漏源电流上升时间漏源关断延迟时间漏源电流下降时间栅极总充电电量栅源充电电量栅漏充电电量
这些参数都是与时间相互关联的参数。开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高。
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