专利名称：金属互连结构的制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈华伦,罗啸,陈雄斌,熊涛,陈瑜申请号：CN200710094317.6申请日：20071128公开号：CN101452876A公开日：20090610
摘要：本发明公开了一种金属互连结构的制备方法，包括：淀积金属层；光刻定义出金属连线的图案；刻蚀至前层介质层，形成金属连线；用光刻胶光刻，使光刻胶覆盖在金属层间互连导线的位置处的金属层上；刻蚀金属层深度为金属层间互连导线的厚度，形成金属层间互连导线；淀积后层介质层；用CMP法研磨后层介质层至金属层间互连导线表面。本发明还提供了一种先刻蚀金属层间互连导线，后刻蚀金属连线的方法，本发明利用两次光刻和刻蚀，将金属连线和金属层间互连导线集成在一个制造过程里，且用同一种金属来实现，故只需要一步CMP研磨，节省了工艺步骤和成本。同时，还可以降低金属连线结构的电阻。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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