专利名称：用于形成电阻的半导体结构专利类型：实用新型专利发明人：郑玉宁,方绍明申请号：CN201821238246.2申请日：20180801公开号：CN208706683U公开日：20190405
摘要：一种用于形成电阻的半导体结构。所述用于形成电阻的半导体结构包括位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。所述用于形成电阻的半导体结构能够提高所形成的电阻的尺寸精度。
申请人：深圳元顺微电子技术有限公司,厦门元顺微电子技术有限公司
地址：518031 广东省深圳市福田区南园街道深南中路1027号新城大厦西座6楼614
国籍：CN
代理机构：厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：乐珠秀
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