专利名称：离子注入装置及离子注入装置的控制方法专利类型：发明专利
发明人：冈田庆二,藤井嘉人,工藤哲也,戎真志,广川卓申请号：CN201910409564.3申请日：20150615公开号：CN110137064A公开日：20190816
摘要：本发明提供一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种能够减小输送过程中对晶片的污染的影响的技术。本发明的离子注入装置(10)具备：真空处理室(16)，进行对晶片(W)的离子注入处理；一个以上的装载锁定室(54a、54b)，用于向真空处理室(16)搬入晶片，并从真空处理室(16)搬出晶片；中间输送室(52)，与真空处理室(16)及装载锁定室(54a、54b)这两者相邻而设；装载锁定室‑中间输送室连通机构(72a、72b)，其具有连通装载锁定室(54a、54b)与中间输送室(52)之间的装载锁定室‑中间输送室连通口及能够封闭装载锁定室‑中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室‑真空处理室连通机构(70)，其具有连通中间输送室(52)与真空处理室(16)之间的中间输送室‑真空处理室连通口及能够屏蔽中间输送室‑真空处理室连通口的一部分或全部的可动式屏蔽板。
申请人：住友重机械离子技术有限公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：刘杰
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