专利名称：离子注入装置以及离子注入装置的控制方法专利类型：发明专利
发明人：大浦正英,今井大辅,二宫史郎申请号：CN201410808396.2申请日：20141222公开号：CN104810231A公开日：20150729
摘要：本发明提供一种离子注入装置以及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种保护电源以避免因负载电流的产生而产生的过电流的技术。在本发明的离子注入装置(10)中，切断机构在射束线的中途切断离子束(B)。等离子体淋浴装置(40)设置于比切断机构更靠射束线的下游侧。控制部(60)在等离子体淋浴装置(40)的点火开始期间，使切断机构切断离子束(B)。切断机构可以设置于比高电压电场式电极部更靠射束线的上游侧，所述高电压电场式电极部至少设置一个以上。气体供给机构可以向等离子体淋浴装置(40)供给源气体。控制部(60)可以在使切断机构切断离子束(B)之后，使气体供给机构开始供给源气体。
申请人：斯伊恩股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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