专利名称：一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法专利类型：发明专利发明人：王德昌,李景,孙晓凯申请号：CN202011154532.2申请日：20201026公开号：CN112397385A公开日：20210223
摘要：本发明公开了一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，所述方法包括：将容纳有待镀膜硅片的石墨舟置于管式炉中；将所述管式炉内温度升至第一预设温度后恒温第一预设时长；对所述管式炉抽真空，并升温至第二预设温度；通入活性气体以进行沉积；与现有技术相比，本发明的优点是：在大气氛围升温后恒温第一预设时长以增加大气高温恒温过程，使得硅片表面的ALD氧化铝沉积镀膜能在高温下与大气氛围中的氧气反应，借助氧气的氧化作用减少硅片膜层表面的悬挂键，从而减少表面复合提升钝化稳定性以提高氮化硅膜层的沉积质量。
申请人：晶澳太阳能有限公司
地址：055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街
国籍：CN
代理机构：北京市万慧达律师事务所
代理人：顾友
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