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[10] 冯娟妮,张焜,徐春杰.工艺参数控制对钼粉粒度
专利名称:一种二硫化钼纳米片/石墨烯纳米带复合
材料及其制备方法 专利申请号:CN201510559146. 4 公开号:CN105217567A 申请日=2015.09.07 公开日=2016.01.06 申请人:复旦大学
本发明属于过渡金属硫化物-碳材料技术领 域,具体为一种二硫化钼纳米片/石墨烯纳米带复合 材料及其制备方法。本发明通过溶液氧化法制备石 墨烯纳米带,通过溶剂热法在石墨烯纳米带上原位 生长二硫化钼纳米片。本发明所制备的石墨烯纳米 带具有化学性质稳定、导电性好、长径比高等优点; 本发明制备的复合材料具有形貌可控的特点,二硫 化钼纳米片均勻地负载在石墨烯纳米带上,充分利 用了石墨烯纳米带独特的基底结构。本发明所制备 的二硫化钼纳米片/石墨烯纳米带复合材料可成为 一种理想的高性能电化学析氢材料,以及锂离子电 池和太阳能电池等新能源器件的电极材料。专利名称:一种具有正六边形结构的纳米碳化二钼 片状粉末的制备方法 专利申请号:CN201510568899. 1 公开号:CN105217633A 申请日=2015.09.09 公开日=2016.01.06 申请人:四川理工学院
本发明涉及一种具有正六边形结构的纳米碳化 二钼片状粉末的制备方法,该方法采用可溶于水的 二钼酸铵(或七钼酸铵)、葡萄糖(或蔗糖)分别作为 钼源和碳源原料,通过前驱体溶液干燥实现了反应 物体系中各元素在分子级别上混合均勻,降低了碳 热还原反应温度并缩短了反应时间,实现了纳米 M〇2C的合成。另外在反应过程中,熔融的鹵化剂为 反应体系提供了一个均勻的受热稳态体系,从而促
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业,1997,21(2/3) :86 -87.
进了正六边形的纳米片状M〇2C的均勻生长。专利名称:一种基于氯化钠模板的二硫化钼纳米片 制备方法
专利申请号:CN201510583045. 0 公开号:CN105217687A 申请日=2015.09. 14 公开日=2016.01.06 申请人:天津大学
本发明涉及一种基于氯化钠模板的二硫化钼纳 米片制备方法,包括:以钼酸铵、钼酸钠中的一种或 两种混合物为钼源,以硫脲为硫源,按钼源中的钼、 硫源中的硫摩尔比为1: (1.8 ~2. 5),并按钼源中的 钼与NaCl的摩尔比为1: (150 ~600)计,将钼源、硫 源和NaCl加入去离子水中溶解,再冷冻和进行真空 干燥,得到混合物;将制得的混合物研磨成粉末,过 筛后铺于方舟中,置于管式炉恒温区进行煅烧和化 学气相沉积,得到产物A;水洗并进行真空干燥,得 到二硫化钼纳米片。本发明可得到具有质量高、尺 寸均一、层数相对可控、产量较高、制备成本相对较 低等特点的二硫化钼纳米片。
专利名称:一种钼化合物及其制备方法和应用专利申请号:CN201510487817. 0公开号:CN105218384A申请日=2015.08. 11公开日=2016.01.06申请人:泉州理工职业学院
本发明公开了 一种钼化合物,其通式如下:
[(〇130(11-(]81117)3]2^1,其中,^1为^1。〇42-或者
此化合物中无氯、氮、硫、磷等环境污染
物质,符合环境友好、绿色润滑油的标准要求,是一 种新型环境友好润滑油磨擦改进剂。本发明还公开 了其制备方法及其应用。
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