专利名称：二维四极离子阱专利类型：发明专利
发明人：迈克尔·W·赛恩科,杰·C·施瓦兹申请号：CN200680028082.4申请日：20060801公开号：CN101238545A公开日：20080806
摘要：提供了一种线性离子阱的孔设计，其中优化该孔以尽量减小可能的轴向场不均匀同时保持四极杆的结构整体性。一般地，本发明提供一种俘获随后发射离子的线性离子阱。该线性离子阱包括限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴。一根或多根杆包括径向延伸通过杆且纵向延着杆延伸的孔。该孔配置为使得离子从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域。在孔附近设置至少一个槽，其沿着杆纵向延伸并且正对内阱体，该槽在径向上不延伸通过杆。
申请人：塞莫费尼根股份有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京安信方达知识产权代理有限公司
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