专利名称：组合的MCD和MOS晶体管半导体器件专利类型：发明专利发明人：史蒂文·皮克
申请号：CN202011139373.9申请日：20201022公开号：CN112750815A公开日：20210504
摘要：本公开涉及组合的MOS控制二极管(MCD)和MOS晶体管半导体器件以及相关联的制造方法。半导体器件包括：外延半导体层，其布置在半导体衬底上；沟槽矩阵，其形成在外延层中，沟槽矩阵包括第一多个间隔开的平行沟槽和第二多个间隔开的平行沟槽，其中，第一多个平行沟槽中的每一个与第二多个平行沟槽中的每一个正交；栅电极，其布置在第一多个间隔开的平行沟槽中的每一个中；以及源电极，其布置在第二多个间隔开的平行沟槽中的每一个中。
申请人：安世有限公司
地址：荷兰奈梅亨
国籍：NL
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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