专利名称：功率金氧半导体场效晶体管专利类型：实用新型专利发明人：刘莒光
申请号：CN201220183028.X申请日：20120426公开号：CN202633320U公开日：20121226
摘要：本实用新型涉及一种功率金氧半导体场效晶体管，有有源区、栅极母线区以及终端区，其包含基板、导电沟渠、阱区与介电层。所述功率金氧半导体场效晶体管还具有至少一终端结构，其包括至少一个导电沟渠、多个位于终端区内并借助于导电沟渠互相电性隔离的阱区、一场效电板、一接触栓塞及一重掺杂区。由电板金属与介电层构成的场效电板配置在终端区内的导电沟渠与阱区上。而接触栓塞穿过介电层连接电板金属与一个阱区，使电板金属通过接触栓塞而与阱区等电位。阱区与导电沟渠借助于上述介电层而与电板金属电性耦合。重掺杂区则介于接触栓塞与被连接的阱区之间。
申请人：杰力科技股份有限公司
地址：中国台湾新竹县竹北市台元街32号2楼之1
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：臧建明
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