专利名称：高密度低压沟槽功率MOS器件专利类型：实用新型专利发明人：周祥瑞,冷德武,王毅申请号：CN201621115449.3申请日：20161011公开号：CN206250199U公开日：20170613
摘要：本实用新型涉及一种高密度低压沟槽功率MOS器件，通过在沟槽上部进行热氧化（厚度在500A‑5000A），形成了沟槽的碗口结构。本实用新型可以极大的降低元胞区最小单元元胞宽度，从而极大的提高了元胞密度（集成度），降低了特征导通电阻；避免现有技术中半导体封装中存在的元胞区最小单元元胞宽度受限于8寸晶圆厂光刻机台的问题。
申请人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
地址：225063 江苏省扬州市维扬经济开发区荷叶西路6号
国籍：CN
代理机构：无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
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