专利名称：新型光存储发光材料及其用途专利类型：发明专利发明人：熊光楠,余华,娄素云申请号：CN01142151.7申请日：20010914公开号：CN1408814A公开日：20030409
摘要：本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗X线诊断影像，工业无损探伤的掺杂型稀土离子激活的氟溴碘钡(BaFBrI：Re)光存储发光材料及其用途。合成的稀土离子激活的氟溴碘钡(BaFBrI：Re)中掺入三价和四价金属离子形成的化合物(Ba(1－x－y)MIIIxMIVyFBrzI1－z：aRe)。其化合物合成工艺及条件依次为：将各类化合物按化学计量比逐一称取溶于蒸馏水中制成溶液或悬浊液，搅拌进行混合，再进行干燥，干燥温度小于所选取各类化合物熔点中最小的化合物的熔点；对化合物进行灼烧，灼烧时的气氛为弱还原性气氛，灼烧完毕的样品随炉温冷却至室温，研磨过筛后的成品化合物即可涂屏。所匹配的激励波长段为650纳米—700纳米。大大简化了该新型存储发光材料的涂覆制成的X线影像板的读出系统的设计，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。
申请人：天津理工学院
地址：300191 天津市红旗南路263号天津理工学院材料物理所
国籍：CN
代理机构：天津市才智有限责任专利代理事务所
代理人：王顕
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