专利名称：PBN型InGaAs红外探测器专利类型：发明专利
发明人：张志伟,缪国庆,宋航,蒋红,李志明,黎大兵,孙晓娟,陈
一仁
申请号：CN201510527303.3申请日：20150826公开号：CN105185846A公开日：20151223
摘要：本发明公开了一种PBN型InGaAs红外探测器，属于光电子材料与器件技术领域。解决了现有技术中InGaAs探测器存在较多的暗电流的技术问题，进一步提高了InGaAs探测器的响应范围。该红外探测器，由从上至下依次排列的窗口层、阻挡层、吸收层、缓冲层和衬底组成，其中，阻挡层的材料为禁带宽度大于吸收层和窗口层的禁带宽度，且晶格与吸收层匹配的掺Si的InAlAs材料或者掺Si的InAsP材料，阻挡层的厚度为100-300nm。该红外探测器能够很好的抑制暗电流的产生，且具有高量子效率、低表面复合及更宽的响应范围，能够用于遥感探测。
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地址：130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
国籍：CN
代理机构：长春菁华专利商标代理事务所
代理人：王莹
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