人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态，后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁(或亚铁磁)有序状态，相关理论指出这些状态源于铁磁性原子磁矩之间的直接交换作用和间接交换作用.直接交换作用的特征长度为0.1-0.3nm，间接交换作用可以长达1nm以上.1nm已经是实验室中人工微结构材料可以实现的尺度，所以，科学家们开始了探索人工微结构中的磁性交换作用.
1986年德国物理学家彼得·格伦贝格尔( Peter Grunberg )采用分子束外延(MBE)方法制备了铁-铬-铁三层单晶结构薄膜.发现对于非铁磁层铬的某个特定厚度，没有外磁场时，两边铁磁层磁矩是反平行的，这个新现象成为巨磁电阻( Giant magneto resistance，简称GMR)效应出现的前提.进一步发现两个磁矩反平行时对应高电阻状态，平行时对应低电阻状态，两个电阻的差别高达10%.
1988年法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)的研究小组将铁、铬薄膜交替制成几十个周期的铁-铬超晶格薄膜，发现当改变磁场强度时，超晶格薄膜的电阻下降近一半，磁电阻比率达到50%.这个前所未有的电阻巨大变化现象被称为巨磁电阻效应.
GMR效应的发现，导致了新的自旋电子学的创立.GMR效应的应用使计算机硬盘的容量提高几百倍，从几百Mbit，提高到几百Gbit甚至上千Gbit. 阿尔贝·费尔和彼得·格伦贝格尔因此获得2007年诺贝尔物理学奖. 【实验目的】
1. 了解多层膜GMR效应的原理. 2. 测量GMR的磁阻特性.
3. 了解GMR模拟传感器的结构、特点，并掌握用GMR传感器测量电流的方法. 【实验仪器】
巨磁电阻效应及应用实验仪，基本特性组件，电流测量组件. 【实验原理】
1. GMR效应的原理
根据导电的微观机理，金属中电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断与处于晶格位置的原子实产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速和随机散射运动的叠加.电子在两次散射之间运动的平均路程称为平均自由程，电子散射几率越小，平均自由程就越长，电阻率就低.欧姆定律 R=ρl/S应用于宏观材料时，通常忽略边界效应，把电阻率ρ视为常数.当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几
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个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为0.3nm），电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观测到厚度减小，电阻率增加的现象.电子具有自旋特性，在外磁场中电子自旋磁矩的方向平行或反平行于磁场方向.在一些铁磁材料中，自旋磁矩与外磁场平行的电子的散射几率，远小于与外磁场反平行的电子.材料的总电阻相当于两类电子各自单独存在时的电阻的并联.这个电阻直接影响材料中的总电流.即材料的总电流是两类自旋电子电流之和;总电阻是两类自旋电子电流的并联电阻，这就是两电流模型.
如图38-1所示，多层GMR结构中，无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁矩是反平行（反铁磁）耦合的——因为这样能量最小.在足够强的外磁场作用下，铁磁膜的磁矩方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合.
有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献.
①界面上的散射
无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行→反平行或反平行→平行），电子在界面上的散射几率很大，对应于
高电阻状态.有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，电子在界面上的散射几率很小，对应于低电阻状态.
②铁磁膜内的散射
由于无规散射，电子也有一定的几率在上下两层铁磁膜之间穿行.无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类自旋电子电流的并联电阻类似于两个中等阻值的电阻的并联，对应于高电阻状态.有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，自旋平行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几率大，两类自旋电子电流的并联电阻类似于一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于低电阻状态.
图38-2是图38-1结构的一种GMR材料的磁阻特性.由图中正向磁场方向可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减小（图中实线），其间有一段线性区域，当外磁场已使两铁磁膜磁场方向完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不再减小，达到磁饱和状态；从磁饱和状态开始减小磁场，电阻将逐渐增大
5000 4900 4800 4700 4600 4500 4400 4300 4200
无外磁场时顶层磁场方向
顶层铁磁膜 中间导电层 底层铁磁膜 无外磁场时底层磁场方向 图38-1 多层膜GMR结构图
R (Ω)
B (Gs)
图38-2 磁阻特性曲线
－500 －250 0 250 500
2
（图中虚线）.两条曲线不重合是因为铁磁材料具有的磁滞特性.加反向磁场与加正向磁场时的磁阻特性是对称的，如图38-2所示.两条曲线分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性.
所有多层膜结构的GMR都是由外磁场改变两铁磁层磁场的相对取向实现巨磁电阻效应，但结构及无外磁场时的耦合状态不一定如图38-1.如自旋阀结构的GMR，由钉扎层，被钉扎层，中间导电层和自由层构成.其中，钉扎层使用反铁磁材料，被钉扎层使用硬铁磁材料，铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场，此偏转场将被钉扎层的磁化方向固定，不随外磁场改变.自由层使用软铁磁材料，它的磁化方向易于随外磁场转动.这样，很弱的外磁场就会改变自由层与被钉扎层磁场的相对取向，对应于很高的灵敏度，硬盘所用的GMR磁头就采用这种结构.
2.GMR磁阻特性测量
将GMR置于螺线管磁场中，如图38-3所示，磁场方向平行于膜平面，磁阻两端加上恒定电压.GMR铁磁膜初始磁化方向垂直于磁场方向，调节线圈电流，从正到负逐渐减小磁感应强度，记录磁阻电流并计算磁阻.然后再逐渐增加磁感应强度，记录对应数值.
图38-3 磁阻特性测量实验原理图 可调电流源 RA2 螺线管 E A1 不同外磁场强度时电阻的变化反映了GMR的磁阻特性，同一外磁场强度下磁阻的差值反映了材料的磁滞特性.
3.GMR模拟传感器结构及电流测量
将GMR构成传感器时，为了消除温度变化等环境因素对测量的影响，一般采用桥式结构，如图38-4(b)所示.电桥结构的特点是当四个GMR对磁场的响应完全同步时，就不会有信号输出.因此，将处在电桥对角位置的两个电阻R3、R4 覆盖一层高磁导率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁场对它们的影响；将电阻R1、R2 直接面对外磁场使其阻值随外磁场变化而改变；屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高磁导率将磁感应线聚集在R1、R2电阻所在的空间，进一步提高了R1、R2 的磁灵敏度，如图38-4(a)所示.设桥式电路对应端的输入电压为UIN，另一对应端输出电压为UOUT，无外磁场时四个GMR的阻值均为R，当外磁场改变时电阻R1、R2 的阻值在
R3 R4
磁通聚集器
输入 −
(a) 几何结构图 (b) 电路连接图
图38-4 GMR模拟传感器结构图
R2 R1
输入 + R4 R1 输出− + 输出
R2 R3 3
外磁场作用下减小ΔR，则输出电压为：
UOUT=
UINΔR
(38-1)
(2R−ΔR)
由上式可以得到GMR模拟传感器的磁电转换特性，从而对有关物理量进行测量.另外，从图38-4(a)的几何结构还可知道，GMR被光刻成微米宽度迂回状的电阻条，以增大其电阻至kΩ数量级，使其在较小工作电流下得到合适的电压输出.
由磁阻特性及(38-1)式可知，GMR模拟传感器在一定的范围内输出电压与磁感应强度成线性关系，且灵敏度高于其它磁传感器，因此，可以方便的将GMR制成磁场计，测量磁感应强度或其它与磁场相关的物理量.作为应用示例，可以用它来测量电流.用GMR传感器测量电流不用将测量仪器接入电路，不会对电路工作产生干扰，如图38-5所示。在实际应用中，为了提高测量精度，必须使GMR模拟传感器工作在线性区，还常常预先给传感器施加一固定已知磁场，称为磁偏置，其原理类似于电子电路中的直流偏置. 【实验内容与步骤】 一 GMR磁阻特性测量
1. 将GMR模拟传感器置于螺线管内中心位置，功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”. 2. 将实验仪的“电路供电”接到基本测量组件的“电路供电”；“巨磁电阻供电”与电流表串联后接到基本测量组件的“巨磁电阻供电”；恒流输出接到基本测量组件的“螺线管电流输入”.
3. 打开电源，调节“恒流调节”旋钮，使螺线管电流逐步从100mA0-100mA0100mA（负值电流可由交换电流源输出接线的极性获得），记录一系列A2与相应的A1表读数. 4. 调节“恒流调节”旋钮，使恒流输出归零，关闭实验测试仪电源 二 用GMR模拟传感器测量电流
1. 将实验仪的“巨磁电阻供电”接到电流测量组件的“巨磁电阻供电”；恒流输出接到电流测量组件的“待测电流输入”；电压表接到电流测量组件的“信号输出”. 2. 打开电源，调节偏置磁铁到偏离GMR模拟传感器位置，即弱磁偏置状态. 3. 逐步调节电流，由0200mA0，记录此过程中一系列A和相应V表的读数.
4. 将偏置磁体转到接近GMR模拟传感器位置，即强磁偏置状态，使电压表读数为最大. 5. 反向逐步调节电流，由0200mA0，记录此过程中一系列A和相应V表的读数. 6. 关闭电源，整理仪器，结束实验. 【数据处理与要求】
1． 以磁感应强度B为横坐标，电阻R为纵坐标作磁阻特性曲线（B = μ0nI）.
2． 以电流表的读数I为横坐标，电压表的读数U为纵坐标作图，并比较不同磁偏置下的测
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A GMR V 接线柱 永磁体 接线柱 R E
图38-5 模拟传感器测量电流实验原理图
量灵敏度. 【思考题】
1. 什么是巨磁电阻效应？巨磁电阻结构组成有何特点？ 2. 试分析不同磁偏置影响电流测量灵敏度的原因是什么？
【参考资料】
2007,29(6):322-327. 1． 吴镝，都有为. 巨磁电阻效应的原理及其应用[J].自然杂志 , 2． 邢定钰.自旋输运和巨磁电阻[J].物理，2005，34（5）：348-361.
3． 赖武彦. 巨磁电阻引发硬盘的高速发展[J].自然杂志 , 2007,29(6):348-352.
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