专利名称：多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及
介质
专利类型：发明专利
发明人：曹晶,陈杰,彭涛,吉晓喆,田洋洋,赵宜勇申请号：CN202111535728.0申请日：20211215公开号：CN114229847A公开日：20220325
摘要：本发明提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质，涉及数据处理技术领域。该多晶硅还原炉的参数配置方法包括：显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。显示多晶硅还原炉的多组参数，响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，便可以确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，仅需要输入选择操作，便可以实现对于多晶硅还原炉的参数设备，节省了人力资源，还提高了用户体验。
申请人：浙江中控技术股份有限公司
地址：310000 浙江省杭州市滨江区六和路309号
国籍：CN
代理机构：北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：曹瑞敏
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