专利名称：一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置专利类型：发明专利
发明人：戴小林,吴志强,韩秋雨,姜舰,周旗钢,张果虎申请号：CN200510132574.5申请日：20051226公开号：CN1990917A公开日：20070704
摘要：一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的大量SiO(又称挥发物)，防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至爆炸。
申请人：北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司
地址：100088 北京市新街口外大街2号
国籍：CN
代理机构：北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人：郭佩兰
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