专利名称：用于集成电路晶体管器件的背侧源极-漏极接触及
其制作方法
专利类型：发明专利发明人：J·H·张,W·克利迈耶申请号：CN201510026032.3申请日：20150119公开号：CN105280643A公开日：20160127
摘要：本发明的各个实施例涉及用于集成电路晶体管器件的背侧源极-漏极接触及其制作方法。集成电路晶体管形成在衬底上和在衬底中。用金属材料至少部分地填充在衬底中的沟槽，以形成埋置在衬底中的源极(或者漏极)接触。衬底进一步包括外延生长在源极(或者漏极)接触上方的源极(或者漏极)区域。衬底进一步包括与源极(或者漏极)区域相邻的沟道区域。在沟道区域的顶上设置栅极电介质并且在栅极电介质的顶上提供栅极电极。衬底优选地是绝缘体上硅(SOI)类型。
申请人：意法半导体公司
地址：美国得克萨斯州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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