专利名称：载流子迁移率的提取方法专利类型：发明专利发明人：许军,梁仁荣,王敬申请号：CN201010177642.0申请日：20100520公开号：CN101840458A公开日：20100922
摘要：本发明提出一种载流子迁移率的提取方法，包括：测量给定MOS器件的转移特性以及输出特性；根据栅源电压V的初始值和沟道横向电场E的初始值获得载流子迁移率的计算值；根据载流子迁移率的计算值计算对应的漏极电流I的计算值；将I的计算值与实际测量的I的测量值进行比较，判断两者误差是否满足精度要求；如果两者误差不满足精度要求，则进一步调整沟道横向电场E的值，并重复上述步骤，直至满足精度要求；如果两者误差满足精度要求，则获得V的初始值对应的载流子迁移率值，并按照预定步长继续调整所述V的值，重复上述步骤，直至获得给定V的范围内载流子迁移率的曲线。通过本发明实施例能够获得准确的载流子迁移率μ的曲线。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市100084-82信箱
国籍：CN
代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：黄德海
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