专利名称：基于MOSFET开关动态特性的驱动电路专利类型：发明专利
发明人：张艺蒙,许耀,宋庆文,汤晓燕,张玉明申请号：CN201610365021.2申请日：20160527公开号：CN106059552A公开日：20161026
摘要：本发明公开了一种基于MOSFET开关动态特性的驱动电路，其包括控制单元、隔离单元、MOSFET驱动单元。控制单元用于采样MOSFET开关过程中的栅极电压并产生MOSFET开关各阶段切换驱动电阻所需的逻辑信号。隔离单元用于实现控制单元与MOSFET驱动单元的电气隔离，提高电路抗干扰性。MOSFET驱动单元用于接收经电气隔离后控制单元的逻辑信号，完成MOSFET开关各阶段驱动电阻的切换。本发明基于MOSFET的动态开关特性，以牺牲较小开关速度和电路简易度的代价，提升了MOSFET器件的稳定性及安全性。
申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白南路2号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容