专利名称：MOS管脉冲驱动电路专利类型：发明专利
发明人：林引,刘亚辉,任高建,郭江涛,邵严,黄友胜,张金豪,王
飞,戴剑波,赵光绪,贺奎,田军,胡英杰,孙中光,胡亮,周代勇,胡宇,张加易,徐闯,郑芳菲,刘世森
申请号：CN202010239754.8申请日：20200330公开号：CN111464158A公开日：20200728
摘要：本发明提供的一种MOS管脉冲驱动电路，包括输入电路和驱动及关断电路；所述输入电路，其输入端输入PWM控制信号，其电源端与电源VCC连接，用于向驱动及关断电路输出PWM控制信号，并在PWM控制信号为低电平时向驱动及关断电路提供负压信号；所述驱动及关断电路，其输入端与输入电路的输出端连接，其输出端与被驱动MOS管的栅极连接，用于接收PWM控制信号，在PWM控制信号为高电平时驱动MOS管导通，在PWM控制信号为低电平时控制被驱动MOS管快速关断，通过本发明，能够有效提高MOS管在导通关断的过程中的响应速度，并且提高驱动效率，并且在MOS管多级串联的结构中能够有效保障各被驱动的MOS管的一致性。
申请人：中煤科工集团重庆研究院有限公司
地址：400039 重庆市九龙坡区二郎科城路6号
国籍：CN
代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
代理人：胡博文
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