专利名称：低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法专利类型：发明专利发明人：程波,赵超
申请号：CN202011013559.X申请日：20200924公开号：CN112176410A公开日：20210105
摘要：本发明公开了一种低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法。低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法，包括：获取高纯度的InSb锭条，并选取InSb锭条中导电类型为N型且载流子浓度低于掺杂后目标晶体要求浓度的部分作为原料；基于掺杂后目标晶体要求浓度，在一部分原料中掺入N型元素，以制备规格合金片；获取目标重量的原料，并根据公式1获取目标重量的规格合金片，MH＝
CS×MS/CH×K；其中，MH表示规格合金片的重量，MS表示原料的重量，CH表示规格合金片的浓度，CS表示掺杂后目标晶体要求浓度，K表示修正系数；基于目标重量的原料和目标重量的规格合金片，制备目标晶体。采用本发明，可以去除原料本身存在的杂质，还可以保证掺入量的精确度。
申请人：中国电子科技集团公司第十一研究所
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
国籍：CN
代理机构：工业和信息化部电子专利中心
代理人：罗丹
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