专利名称：厚膜电阻体及其制造方法专利类型：发明专利发明人：真岛浩,诸藤由架里申请号：CN201710544378.1申请日：20150820公开号：CN107293352A公开日：20171024
摘要：本发明的目的在于提供厚膜电阻体及其制造方法，其从导电性成分以及玻璃排除了有害的铅成分，而且在宽的电阻域的电阻值、TCR特性、电流杂音特性、耐电压特性等的特性中，具备与现有同等或更高的优异特性。本发明是包括电阻组合物的烧成物的厚膜电阻体，其包含含有二氧化钌的钌系导电性粒子和实质上不含铅成分的玻璃成分，具有100Ω/□～10MΩ/□的范围内的电阻值，电阻温度系数为±100ppm/℃以下。
申请人：昭荣化学工业株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：刘强
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