专利名称：MOS晶体管及用于制造MOS晶体管结构的方法专利类型：发明专利发明人：福尔克尔·杜德克申请号：CN200510006288.4申请日：20050202公开号：CN1652321A公开日：20050810
摘要：本发明提出一种MOS晶体管(12)，它具有在一个SOI晶片(10)中的一个源极区(20)，一个栅极区(22)，一个漏极区(24)及一个漂移区(26，28)，其中SOI晶片具有一个载体层(14)，该载体层载有一个绝缘的中间层(16)并且其中该绝缘的中间层载有一个有源半导体层(18)，在该有源半导体层中横向不同的掺杂剂浓度确定了源极区(20)，漂移区(26，28)及漏极区(24)，及其中有源半导体层(18)至少在漂移区(26，28)的一部分中比在源极区(20)中厚。该MOS－晶体管(12)的其特征在于：有源半导体层(18)在垂直方向上完全通过绝缘的中间层(16)与衬底(18)分隔。此外还提出用于制造这种晶体管的方法。
申请人：ATMEL德国有限公司
地址：联邦德国海尔布隆
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：曾立
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