专利名称：用于MOS晶体管的设备和方法专利类型：发明专利
发明人：周学良,伍震威,苏柏智,柳瑞兴申请号：CN201310001060.0申请日：20130104公开号：CN103531629A公开日：20140122
摘要：本发明涉及了一种MOS晶体管，其包括第一导电性的衬底、形成在该衬底上方的第一导电性的第一区域、形成在第一区域中的第一导电性的第二区域、形成在第二区域中的第二导电性的第一漏极/源极区域、第二导电性的第二漏极/源极区域、以及第一导电性的主体接触区域，其中，从上向下看去，该主体接触区域和第一漏极/源极区域以交替的方式形成。本发明还提供了一种用于MOS晶体管的设备和方法。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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