专利名称：包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：G·C·里贝斯,B·杜蒙特,F·亚瑙德申请号：CN201710109434.9申请日：20170227公开号：CN107871737A公开日：20180403
摘要：本申请涉及包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法。一种包括FDSOI型MOS晶体管的集成电路包括形成在位于绝缘层上的半导体层的内部和顶部上的至少一个第一类型的逻辑MOS晶体管、至少一个第二类型的逻辑MOS晶体管以及至少一个该第一类型的模拟MOS晶体管，其中，这些逻辑晶体管的栅叠层依次包括栅极绝缘体层、第一氮化钛层、镧层和第二氮化钛层；并且该模拟晶体管的栅叠层包括除了该第一氮化钛层以外与这些逻辑晶体管的该栅叠层相同的层。一种制造这种器件的方法。
申请人：意法半导体(克洛尔2)公司
地址：法国克洛尔
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
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