专利名称：形成MOS晶体管的方法及其结构专利类型：发明专利
发明人：J·皮尔斯,P·温卡特拉曼,J·塞勒斯,H·D·巴哈特申请号：CN200910151750.8申请日：20090713公开号：CN101685834A公开日：20100331
摘要：形成MOS晶体管的方法及其结构。在一个实施方式中，形成MOS晶体管，该MOS晶体管包括具有有源区以及终端区。在所述终端区域内部形成多个导体，以与多个槽多个槽中的导体形成电接触。在终端区域内形成的多个导体基本上共面。
申请人：半导体元件工业有限责任公司
地址：美国亚利桑那
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：秦晨
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