概述:
HIP4086是三相桥式N通道MOS管驱动器集成电路，特别针对于脉宽调制电动机控制。它使基于桥式电路的设计更为简单和灵活。和HIP4081一样，HIP4086有灵活的输入协议,可驱动每种可能的开关组合。不象HIP4081，用户可以避免直通保护用于开关磁阻电机的驱动。和HIP4081相比，HIP4086降低了驱动电流（0.5A对2.5A），且和HIP4082一样，有较多的可调节的死区时间（0.25μs到4.5μs）。HIP4086适用于从直流到100kHz的应用。不象同系列的其它产品，HIP4086具有可变的欠压保护设定值。
参考HIP4083，三相上部MOS管驱动器，为小功率电动机提供最优的小电流解决方案。
特点:
在三相桥式结构中独立地驱动6个N沟道场效应晶体管 自举电源最高电压为95V直流电压 偏置电源工作在7V到15V 1.25A峰值关断电流
用户可编程死区时间（0.25μs到4.5μs） 电荷泵和自举电路保持高端偏置电源 可编程补充自举电压时间
驱动1000pF负载的典型上升时间为20ns，下降时间为10ns DIS（禁止）使输入控制无效
输入逻辑门限为5V到15V的逻辑电平 可使死区时间无效 可编程的欠电压设置值 无铅
应用
无电刷电机 交流电动机驱动 开关磁阻电动机驱动 电池供电的车辆
订购信息
注：Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料／晶片的附属材料和100％无光泽锡盘引脚符合RoHS标准，兼容SnPb和无铅低温焊接操作。Intersil无铅产品在无铅峰值回流温度中属于MSL级别分类，完全满足和超过IPC/GEDEC JSTD-020的无铅要求。
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引脚图 应用模块图
功能模块图（HIP4086的 1/3）
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真值表
注：“X”表示输入既可为“0”，也可为“1”。
典型应用：（脉宽调制模式开关）
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引脚描述 引脚编号 16 1 13 5 2 12 符号 AHB BHB CHB (xHB) 简 述 高边自举电源。每个引脚需要一个外部自举二极管和一个电容。自举二极管的负极和自举电容的正极与每个xHB脚相连。 AHI BHI CHI (xHI) 高端逻辑电平输入。在这三个脚上的逻辑电平控制三个高端输出驱动器AHO（脚17），BHO（脚24）和CHO（脚14）。当xHI为低电平时，xHO为高电平。当xHI为高电平时，xHO为低电平。除非通过RDEL（脚7）接地使死区时间禁用，否则每个相位的低端输入优先于该相位对应的高端输入——见前页的真值表。如果RDEL接地，则死区时间禁用，输出紧跟输入。在这种应用中必须注意避免击穿。DIS（脚10）优先于高端输入。xHI能被0V到15V的信号电平（不超过VDD）驱动。 低端逻辑电平输入。在这三个脚上的逻辑电平控制三个低端输出驱动器ALO（脚21），BLO（脚22）和CLO（脚19）。如果高端输入接地，则低端输入控制xLO和xHO驱动器，RDEL（脚7）上的电阻上设定死区时间。DIS（脚10）高电平输入优先于xLI，强制所有的输出为低电平。XLI能被0V到15V的信号电平（不超过VDD）驱动。 地。将低端功率MOS管的源极接至该脚。 死区时间设定。将该脚上的电阻与VDD相连来设置决定驱动器间死区时间的定时电路——见图15。所有的驱动器关闭都没有可调延迟，因此REDL的电阻保证驱动器的延迟导通不会击穿。当RDEL和VSS相连，可同时控制上部和下部电路。少数应用中，需要在RDEL和VSS之间连接一个0.1µF或更小的去耦电容器。 欠压设定。在该脚和VSS之间连接一个电阻来设置欠压设定值，见图16。该脚悬空时，欠压的典型值是6.6V。当该脚与VDD相连时，欠压的典型值是6.2V。 刷新脉冲设定。在该脚和VSS之间连接一个外部电容来增加启动刷新脉冲的宽度——见图14。如果该脚悬空，刷新脉冲的典型值是1.5µs。 禁用输入。逻辑输入电平为高电平时，设置六个输出为低电平。DIS高电平优先于其他输入。DIS为低电平时，输出受其他输入的控制。DIS能被0V到15 V的信号电平（不超过VDD）驱动。 高边输出。与每个相位的高端功率MOS管的栅极相连。 4 3 11 ALI BLI CLI (xLI) VSS RDEL 6 7 8 9 10 UVLO RFSH DIS AHO BHO CHO (xHO) 15 AHS 23 BHS 15 CHS (xHS) 20 VDD 21 ALO 22 BLO 19 CLO (xLO) 注：x=A, B和C。 4
17 24 14 高边源极连接。这些引脚接高端功率MOS管的源极。自举电容的负极也应与这些引脚相连。 正电源。该脚与VSS（脚6）去耦。 低边输出。将低端功率MOS管的栅极与这些脚相连。 华强电子网 www.hqew.com
极限参数
电源电压，VDD„„„„„„„„„„„„„„„„ -0.3V至16V
逻辑I/O电压 „„„„„„„„„„„„„„„„ -0.3V至VDD+0.3V xHS上的电压„„„„„„„„„„ -6V（瞬变）至85V（-40℃到150℃） xHB上的电压„„„„„„„„„„„„„„„„„ VxHS-0.3V至VxHS + VDD xLO上的电压„„„„„„„„„„„„„„„„„ Vss-0.3V至VDD+0.3V xHO上的电压„„„„„„„„„„„„„„„„„ VxHS-0.3V至VxHB + 0.3V 相位转换速率„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 20V/ns
工作条件
电源电压，VDD„„„„„„„„„„„„„„„„„„ +7V到+15V xHS上的电压„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 0V到80V xHB上的电压„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ VxHS + VDD 环境温度范围„„„„„„„„„„„„„„„„„„ -40℃到125℃ 结温范围„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ -40℃到125℃
热信息
热阻（典型值，注1） θJA(℃/W) SOIC封装„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 75 PDIP封装„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 70
最大储存温度范围 „„„„„„„„„„„„„„ -65℃到150℃ 最大结温 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 150℃ 最大引线温度（低温焊接10s）„„„„„„„„„„„„„ 300℃ （仅限SOIC引线尖端）
注意：强度超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏。这些仅仅是极限参数，并不意味着在极限条件下或在任何其它超出推荐工作条件所示参数的情况下器件能有效工作。
注：1. θJA是在空气条件下，元件直接安装在测试PC板上测量得到的。
2. 所有的电压都参考VSS，除非另有说明。
3. x=A, B和C。例如，xHS指AHS，BHS和CHS。
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电气指标
VDD=VxHB=12V，VSS=VxHS=0V，RDEL=20K， RUV=，栅电容(CGATE)=1000pF
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时序图
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注：4. X指任意的“A”“B”或“C”相位。
5. 因为RDEL电阻接VDD，所以lowers和uppers不能同时导通。低端逻辑电平压制高端逻辑电平，除非RDEL<100mV。
典型性能曲线图
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