发布网友 发布时间:2024-10-23 23:26
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热心网友 时间:2024-10-31 07:28
忆联 AM6B1(1TB):一次深入的空盘测试之旅
首先,映入眼帘的是忆联 AM6B1的独特设计。这款硬盘采用单面单闪存布局,据推测,我们测试的这款2280规格的硬盘可能源于2242型号的优化。虽然表面的贴纸信息并未直接对应,但其上印有醒目的"LTS"标识,暗示了忆联AM6B1可能采用了低温焊锡工艺(Low Temperature Soldering),这对于确保硬盘在日常使用中的可靠性至关重要。
尽管没有明确标注,但从撕下的贴纸中我们可以窥见硬盘内部的精工细作——慧荣 SM2268XT主控与忆联自家的闪存品牌。但遗憾的是,关于封装方的具体规格参数,我们未能获取到详细信息。目前,忆联官方尚未更新这款硬盘的最新资料,使我们对产品的了解停留在初步阶段。
深入解析,慧荣 SM2268XT的参数展示了这款硬盘的强大性能。这款主控基于台积电12nm工艺,支持PCIe 4.0 x4接口,带宽达到3200MT/s,拥有DRAM-less架构,能实现高达7400MB/s的顺序读取和6500MB/s的顺序写入速度。随机读取和写入能力也相当可观,分别达到1200K IOPS和1200K IOPS。硬盘内部采用长江存储的“3DV4”TLC闪存方案,保证了高效的数据存储和传输。
在测试环节,我们选择了联想拯救者刃9000K 2024台式机,搭载Z790主板、i9-14900K处理器和GB高频内存,将AM6B1安装在第三M.2接口。在23℃的室温环境下,忆联AM6B1的性能表现稳定且无瓶颈。在CrystalDiskMark和3DMARK存储基准测试中,读速保持在5000~5500MB/s,写速则遵循典型的三阶段模式,从SLC缓存内的高速写入,到TLC直写阶段的2000MB/s,再到边整理边写入的1000MB/s。
测试进一步深入,我们通过填充半盘后发现,第一阶段的SLC缓存写入约为290GB,第二阶段的TLC直写约为120GB。这些数据揭示了AM6B1在不同工作模式下的高效性能。
与AM6A1的中庸表现形成鲜明对比,AM6B1无疑展示了4.0时代的高端无缓存特性,预示着它将在联想的多款电脑,特别是笔记本电脑中大放异彩。未来,2242尺寸的AM6B1将更常见,但从联想小新的最新视频中,我们可以看到其贴纸并未标注LTS图标,这可能意味着低温焊锡工艺并非所有版本的标准配置,但无疑,它依然具有出色的性能潜力。
总的来说,忆联AM6B1凭借其精湛的工艺和卓越的性能,无疑为追求高速存储的用户提供了理想的解决方案。让我们拭目以待它在各种应用场景中的实际表现,以证明其高端无缓存的承诺。