专利名称：一种提高碲锌镉晶体性能的方法专利类型：发明专利
发明人：闵嘉华,李辉,梁小燕,刘伟伟,孙孝翔,王东,席韡,张继
军,王林军,张涛,滕家琪,郭昀
申请号：CN201110151562.2申请日：20110608公开号：CN102220644A公开日：20111019
摘要：本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
申请人：上海大学
地址：200444 上海市宝山区上大路99号
国籍：CN
代理机构：上海上大专利事务所(普通合伙)
代理人：顾勇华
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容