专利名称：蚀刻装置和蚀刻方法专利类型：发明专利
发明人：新藤尚树,桑岛亮,户田聪申请号：CN202010938557.5申请日：20200909公开号：CN112542400A公开日：20210323
摘要：本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为母材的壁部；台，其设置于前述处理容器内、且用于载置在表面形成有金属膜的基板；气体供给部，其向前述台供给用于氧化前述金属膜的氧化气体、和属于β‑二酮的蚀刻气体，为了对氧化后的前述金属膜进行蚀刻而设置于前述处理容器；和，壁部用的加热部，其在从前述气体供给部向前述处理容器内供给前述蚀刻气体时，将前述壁部加热至60℃～90℃。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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